半导体装置制造方法及图纸

半导体装置，其具有晶体管，该晶体管包括：第一栅电极；第一栅极绝缘膜，其设置在第一栅电极之上；氧化物半导体层，其设置在第一栅极绝缘膜之上，与第一栅电极重叠，且具有多晶结构；第二栅极绝缘膜，其设置在氧化物半导体层之上；和第二栅电极，其设置在第二栅极绝缘膜之上，且与第一栅电极重叠，在俯视观察时，第一栅电极具有：第一区域，其与氧化物半导体层重叠，且从第二栅电极向第一方向突出；和第二区域，其与第二栅电极重叠，且从氧化物半导体层向与第一方向交叉的第二方向突出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、近年来，取代非晶硅、低温多晶硅及单晶硅而将氧化物半导体用于沟道的半导体装置的开发日益进展(例如专利文献1)。现有的包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的场效应迁移率即便在使用了具有结晶性的氧化物半导体层的情况下也没有那么大。因此，研究了如下半导体装置，其针对要求高速地驱动的晶体管使用将晶体硅用于沟道的晶体管，针对要求截止电流低的晶体管使用氧化物半导体(例如专利文献2、3)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-141338号公报

5、专利文献2：日本特开2013-008946号公报

6、专利文献3：日本特开2011-142621号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在顶栅型的晶体管中，通过将顶栅作为掩模来进行离子注入，由此在氧化物半导体层形成源极区域及漏极区域。根据晶体管的沟道长度和背栅的宽度，通过可靠性试验，不仅对晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体装置，其具有晶体管，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体管还具有设置在所述第二栅电极之上且与所述氧化物半导体层连接的源电极及漏电极，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一方向为与所述晶体管的沟道长度相同的方向，所述第二方向为与所述晶体管的沟道宽度相同的方向。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二长度为2um以上。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述第二区域中，所述第二方向上的第三长度大于0。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层包括：...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.半导体装置，其具有晶体管，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体管还具有设置在所述第二栅电极之上且与所述氧化物半导体层连接的源电极及漏电极，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一方向为与所述晶体管的沟道长度相同的方向，所述第二方向为与所述晶体管的沟道宽度相同的方向。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二长度为2um以上。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡壁创，津吹将志，佐佐木俊成，田丸尊也，望月真里奈，小野寺凉，渡部将弘，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：