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文档序号:46549768

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半导体装置,其具有晶体管,该晶体管包括:第一栅电极;第一栅极绝缘膜,其设置在第一栅电极之上;氧化物半导体层,其设置在第一栅极绝缘膜之上,与第一栅电极重叠,且具有多晶结构;第二栅极绝缘膜,其设置在氧化物半导体层之上;和第二栅电极,其设置在第二...
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