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本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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