【技术实现步骤摘要】
一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂
本技术属于半导体制造设备
,具体涉及一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂。
技术介绍
目前半导体行业的主流设备是8寸或12寸设备,很多主流半导体设备厂商已不再制作6寸设备。但三五族化合物半导体行业的主流设备仍是6寸晶圆机台,因此一些从事三五族化合物半导体生产的企业从设备状况和成本节约的角度考虑,会购买一些原6寸硅厂使用过的二手设备。使用这些二手设备进行三五族化合物晶圆镀膜时,将晶圆放置在传输臂上,传输臂底部的加热盘对三五族化合物晶圆进行加热。现有的传输臂结构如图1所示,由两个相互平行的支撑片1构成,使用时将晶圆2放置在两个支撑片1上,两个支撑片1与晶圆2的中间位置接触。由于三五族化合物晶圆的热传导性较硅晶圆差,现有传输臂与晶圆中间接触的方式造成传输臂与晶圆接触位置的工艺温度有所降低,从而导致三五族化合物晶圆镀膜均匀性差,且所镀的SiN或SiO2薄膜上留有传输臂造成的镀膜阴影。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可以改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂。为达到上述要求,本技术采取的技术方案是:提供一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,包括连接段和支撑段,连接段包括两个相互平行的连接杆,支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆,弧形支撑杆与连接杆一一对应,且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接;两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架,所述支架均包括相互连接的承载段和限位段,限位段的自由端与弧形支撑杆连接,且限位段的上端面高于承载段的上端面;弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径, ...
【技术保护点】
一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,包括连接段和支撑段,连接段包括两个相互平行的连接杆,支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆,弧形支撑杆与连接杆一一对应,且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接;两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架,所述支架均包括一体成型的承载段和限位段,承载段和限位段均为长方体型,且承载段和限位段的宽度相同,且两者的下端面齐平,左端面齐平,右端面齐平;限位段的自由端与弧形支撑杆连接,且限位段的上端面高于承载段的上端面;弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径,承载段的自由端到圆心的距离小于晶圆的半径,承载段的连接端到圆心的距离大于晶圆的半径。
【技术特征摘要】
1.一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,包括连接段和支撑段,连接段包括两个相互平行的连接杆,支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆,弧形支撑杆与连接杆一一对应,且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接;两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架,所述支架均包括一体成型的承载段和限位段,承载段和限位段均为长方体型,且承载段和限位段的宽度相同,且两者的下端面齐平,左端面齐平,右端面齐平;限位段的自由端与弧形支撑杆连接,且限位段的上端面高于承载段的上端面;弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径,承载段的自由端到圆心的距离小于晶圆的半径,承载段的连接端到圆心的距离大于晶圆的半径。2.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,所述连接杆的长度为4-10mm。3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:周华芳,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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