用于高温真空处理的晶片基座及真空处理室制造技术

一种高温处理腔室内适用于处理晶片的配置，所述配置包括：主轴，所述主轴包括具有支撑端部的杆，所述支撑端部包括从所述杆向外突出的圆形肩部和沿与所述杆同轴的方向从所述圆形肩部延伸出的插入部，所述圆形肩部具有形成为沿与所述杆同轴的方向延伸的环形延伸部，所述插入部具有非圆形形状；晶片托架，所述晶片托架形成为具有圆形盘，所述圆形盘具有顶表面和底表面，在其中心处具有非圆形通孔，所述通孔从所述底表面贯穿至所述顶表面，并且配置为与所述主轴的所述插入部配合，所述顶表面具有多个承载位，每个承载位配置用于支撑一个晶片，所述顶表面还包括中心凹部；和盖，所述盖配置为配合在所述中心凹部内并且完全覆盖所述通孔。

Chip base and vacuum treatment room for high temperature and vacuum treatment

A heat treatment chamber suitable for processing chip configuration, the configuration includes: the spindle, the spindle includes a support end of the support rod end includes projecting outward from the rod of the shoulders and along the circular coaxial with the rod from the direction of the circular extension extends into the shoulder and the circular shoulder has formed ring coaxial with the rod extending along the direction of the extension, the inserting section has a non-circular shape; the wafer carrier, the wafer carrier is formed with a circular disc, the disc has a top surface and a bottom surface with non circular holes at the center at the through holes from the bottom surface through the top surface, and is configured to mate with the axis of the inserting section, the top surface has a plurality of bearing, each bearing arrangement for supporting a wafer The top surface also comprises a central concave part and a cover, which is configured to fit in the central concave part and fully cover the through holes.

【技术实现步骤摘要】
用于高温真空处理的晶片基座及真空处理室
本申请涉及用于在高温处理期间在真空系统内支撑晶片的基座。所公开的基座尤其有利于高温真空处理，例如MOCVD工艺处理。相关技术高温真空处理系统在所属领域中是众所周知的。这类系统的一个子类通常被称为立式反应器。在立式反应器中，晶片被放置在盘状基座上，所述基座定位在主轴上。主轴在处理期间旋转，以提高形成在晶片上的层的均一性。在设计基座和基座-主轴交界面时，需要考虑许多因素，例如热流、热膨胀、旋转运动转移等。一个设计考虑因素为是将晶片装载到处理腔室内的基座上，还是将晶片装载到位于处理腔室外部的基座上并随后将基座传送到腔室内且将基座可拆卸地放置在主轴上。前者使用永久性连接至主轴的基座，而后者使用能够通过例如机械臂从腔室中取出的可拆卸基座。使用可拆卸基座的系统的一个早期例子在美国专利第3,408,982号中被公开。在该设计中，基座具有通孔，主轴插入通孔中并且延伸到通孔之外。可拆卸基座的其它例子包括美国专利第5,088,444和6,153,012号。披露可拆卸基座的外国文献包括JP10-22226和JP03-016122。旋转动力通常由主轴和基座之间的摩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于对晶片进行高温处理的基座，包括：圆形盘，其具有顶表面和底表面，所述圆形盘在其中心处具有通孔，所述通孔从所述底表面贯穿至所述顶表面；以及所述顶表面具有多个承载位，每个承载位被配置成用于支撑一片晶片，所述顶表面还包括一中心凹部，所述中心凹部配置用于容纳一盖。

【技术特征摘要】
1.一种适用于对晶片进行高温处理的基座，包括：圆形盘，其具有顶表面和底表面，所述圆形盘在其中心处具有通孔，所述通孔从所述底表面贯穿至所述顶表面；以及所述顶表面具有多个承载位，每个承载位被配置成用于支撑一片晶片，所述顶表面还包括一中心凹部，所述中心凹部配置用于容纳一盖。2.根据权利要求1所述的基座，所述通孔为非圆形孔，所述中心凹部为圆形，且与所述通孔同轴。3.根据权利要求2所述的基座，还包括环形通道，所述环形通道形成在所述中心凹部内并且与所述中心凹部同轴。4.根据权利要求1所述的基座，还包括环形通道，所述环形通道形成在所述中心凹部内并且与所述中心凹部同轴。5.根据权利要求2所述的基座，其中所述非圆形孔具有矩形形状，且其中两个对边被倒圆。6.根据权利要求2所述的基座，其中所述非圆形孔具有椭圆形形状。7.根据权利要求1所述的基座，其中所述多个承载位布置在与所述通孔同轴的圆上。8.根据权利要求7所述的基座，其中所述多个承载位布置在与所述通孔同轴的至少两个同轴圆上。9.根据权利要求1所述的基座，其中所述圆形盘是由石墨制成的，且所述圆形盘至少部分涂有SiC或TaC。10.根据权利要求1所述的基座，所述盖配置为配合在所述中心凹部内并覆盖所述通孔。11.根据权利要求10所述的基座，其中所述盖成形为圆盘状，其具有顶部平坦表面和底部平坦表面。12.根据权利要求10所述的基座，其中所述盖成形为圆盘状，其具有顶部非平坦表面。13.根据权利要求10所述的基座，其中所述盖成形为圆盘状，其具有顶部波纹状表面。14.根据权利要求10所述的基座，其中所述盖成形为圆盘状，其具有顶部凸锥形表面。15.根据权利要求14所述的基座，其中所述凸锥形表面具有侧表面，所述侧表面由以凹陷方式弯曲的线限定。16.根据权利要求10所述的基座，其中所述盖成形为圆盘状，其具有成形为凹陷表面的顶表面。17.一种高温处理腔室，包括如权利要求1至16中任一项所述的基座，所述处理腔室还包括一主轴，所述主轴具有插入部用于可分离地连接到所述基座的所述通孔。18.一种在高温处理腔室内支撑并旋转晶片的配置，包括：主轴，所述主轴包括具有支撑端部...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世平，郑振宇，刘思思，陈国强，杜志游，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31