温度测量设备制造技术
Temperature measuring equipment
【技术实现步骤摘要】
温度测量设备(一个或多个)相关申请的交叉引用本申请基于在2016年10月6日提交的日本专利申请No.2006-198407并要求该专利申请的优先权的权益，该专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本文描述的实施例通常涉及温度测量设备。
技术介绍
已知一些将热转换成电信号的温度测量设备，但是对于这类设备来说存在这样的问题，即在电磁噪声环境下不能精确地测量温度。此外，当电材料被用于温度测量设备时，可能会发生短路。因此，近来已经开发了应用诸如光纤之类的光波导的温度测量设备，其将光而不是电信号用作信号。作为使用光波导的温度测量设备，已经设计了光纤温度计、荧光光纤温度计、使用拉曼散射的温度分布测量系统等。它们主要使用将在诸如发电厂和厂房设施之类的大型基础设施中使用的长距离光纤，并且适用于测量大范围区域中的温度。同时，对这样的温度测量设备有需求，即该温度测量设备能够测量在诸如半导体器件表面之类的狭窄区域中的温度，该狭窄区域例如是500平方微米或更小。
技术实现思路
根据一个实施例，提供了一种温度测量设备，包括：光源；第一光波导，其具有一侧和另一侧并且被安置在待测量对象的期望区域的表...
【技术保护点】
一种温度测量设备，包括：光源；第一光波导，所述第一光波导具有一侧和另一侧，并且被安置在待测量对象的期望区域的表面上；第二光波导，所述第二光波导被连接到所述第一光波导的所述一侧，所述第二光波导将光从所述光源引导到所述第一光波导；第三光波导，所述第三光波导被连接到所述第一光波导的所述另一侧，所述第三光波导引导被引导到所述第一光波导的光；第一滤光器，所述第一滤光器在被引导到所述第三光波导的光当中透射在第一频带中的光；第二滤光器，所述第二滤光器在被引导到所述第三光波导的光当中透射在第二频带中的光；检测器电路，所述检测器电路检测所述第一频带中的光的强度和所述第二频带中的光的强度；和控...
【技术特征摘要】
2016.10.06 JP 2016-1984071.一种温度测量设备，包括：光源；第一光波导，所述第一光波导具有一侧和另一侧，并且被安置在待测量对象的期望区域的表面上；第二光波导，所述第二光波导被连接到所述第一光波导的所述一侧，所述第二光波导将光从所述光源引导到所述第一光波导；第三光波导，所述第三光波导被连接到所述第一光波导的所述另一侧，所述第三光波导引导被引导到所述第一光波导的光；第一滤光器，所述第一滤光器在被引导到所述第三光波导的光当中透射在第一频带中的光；第二滤光器，所述第二滤光器在被引导到所述第三光波导的光当中透射在第二频带中的光；检测器电路，所述检测器电路检测所述第一频带中的光的强度和所述第二频带中的光的强度；和控制器，所述控制器根据所述第一频带中的光的检测强度和所述第二频带中的光的检测强度，计算所述对象的所述期望区域的温度。2.根据权利要求1所述的温度测量设备，其中，所述第二光波导覆盖所述第一光波导的所述一侧，并且所述第三光波导覆盖所述第一光波导的所述另一侧。3.根据权利要求1所述的温度测量设备，其中，所述第一光波导的折射率不同于所述第二光波导的折射率或所述第三光波导的折射率。4.根据权利要求1所述的温度测量设备，其中，所述第一光波导的所述一侧和所述另一侧分别是锥形的。5.根据权利要求1所述的温度测量设备，其中，所述第一光波导包括Si。6.根据权利要求1所述的温度测量设备，其中，所述第二光波导和所述第三光波导分别包括SiON。7.根据权利要求1所述的温度测量设备，其中，当所述第二光波导和所述第三光波导包括SiO时，所述第一光波导包括AlN、AlO、SiN和GaN中的任意一个。8.根据权利要求1所述的温度测量设备，还包括：第四光波导，所述第四光波导被连接到所述第二光波导和所述第三光波导，所述第四光波导覆盖所述第一光波导。9.一种温度测量设备，所述温度测量设备包括：光源，所述光源发出光；第一光波导，所述第一光波导具有一侧和另一侧，所述第一光波导被布置在半导体衬底的表面区域上；第二光波导，所述第二光波导被连接到所述第一光波导的所述一侧，所述第二光波导将从所述光源发出的光引导到所述第一光波导；第一滤光器，所述第一滤光器在从所述第一光波导的所述另一侧引导的光当中透射在第...
【专利技术属性】
技术研发人员：上村纮崇，大平和哉，铃木信夫，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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