用于MOCVD设备中的石墨盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于MOCVD设备中的石墨盘，包括多个用于放置衬底的凹槽，所述凹槽的侧壁上设置有由该侧壁朝所述凹槽内凸出的凸出结构，所述凸出结构包括一个或多个凸出部，所述凸出部使得所述衬底在所述石墨盘转动离心力的作用下，所述衬底的侧壁仅与所述凸出部接触，而与所述凹槽侧壁具有间隙。本实用新型专利技术在石墨盘的凹槽侧壁设置凸出结构，使得所述衬底在所述石墨盘转动离心力的作用下，所述衬底的侧壁仅与所述凸出部接触，而与所述凹槽侧壁具有间隙，从而使得所述衬底与凹槽侧壁边缘由原来的全接触改为点式接触，降低了离心力对衬底的影响及降低了衬底边缘的温度。本实用新型专利技术可以有效改善放置于凹槽内的衬底片的波长均匀性，提高良率。

Shi Mopan in the MOCVD equipment

The utility model provides a graphite disc for MOCVD devices, including a plurality of grooves for placing a substrate, the side wall of the groove is arranged on the side wall towards the groove convex convex structure, the protrusion structure includes one or a plurality of protrusions, the projection makes the effect of substrate rotation centrifugal force on the graphite plate, the side wall of the substrate is in contact with the protruding part and the side wall of the groove has a gap. The utility model in a graphite disc groove arranged on the side wall of a convex structure, such that the substrate rotation centrifugal force on the graphite plate under the action of the side wall of the substrate is in contact with the protruding part and the side wall of the groove has a gap, so that the substrate and the side wall of the groove edge the original is full contact point contact, reduces the influence of centrifugal force on the substrate and the lower edge of the substrate temperature. The utility model can effectively improve the uniformity of the wavelength of the substrate placed in the groove and improve the good rate.

【技术实现步骤摘要】
用于MOCVD设备中的石墨盘
本技术涉及一种半导体制造设备，特别是涉及一种用于MOCVD设备中的石墨盘。
技术介绍
石墨盘是MOCVD设备中非常重要的配件，目前常用的石墨盘都是圆形，在石墨盘上分布有一些圆形的凹槽，这些凹槽即用于放置衬底。石墨盘是由高纯石墨制成，并在表面镀有SiC涂层。外延生长过程，在MOCVD的反应腔中，通过加热系统对盛放有衬底的石墨盘进行辐射加热，由热电偶与温度控制器控制温度，这样温度控制精度一般可达0.2℃或更低。现有的一种石墨盘的设计如图1所示，该石墨舟包括多个凹槽101，衬底102放置于所述凹槽101内，所述衬底的材质大部分是Al2O3，还有一部分采用Si、SiC及SiO2，与III-V族氮化物外延层的晶格夫配与热膨胀系数的差异，在外延生长过程中外延片都会发生翘曲，如图1所示。外延片产生翘由造成片子受热不均匀，对外延层质量有影响，并且III-V族氮化物发光外延片的波长对温度较为敏感，容易造成外延片内波长差异较大，会对后续的芯片制程以及分边工作造成时间和成本的大幅增加及良率的降低。为了克服上述缺陷，申请号为201521131002.0的专利申请中公开了一种MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘包括多个用于放置衬底的凹槽，所述凹槽的侧壁上设置有由该侧壁朝所述凹槽内凸出的凸出结构，所述凸出结构包括一个或多个凸出部，所述凸出部使得所述衬底在所述石墨盘转动离心力的作用下，所述衬底的侧壁仅与所述凸出部接触，而与所述凹槽侧壁具有间隙。

【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘包括多个用于放置衬底的凹槽，所述凹槽的侧壁上设置有由该侧壁朝所述凹槽内凸出的凸出结构，所述凸出结构包括一个或多个凸出部，所述凸出部使得所述衬底在所述石墨盘转动离心力的作用下，所述衬底的侧壁仅与所述凸出部接触，而与所述凹槽侧壁具有间隙。2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：所述凸出结构包括一个凸出部，所述凸出部设置于中心轴线方向上，其中，所述中心轴线方向为所述石墨盘旋转时所述衬底所受离心力的方向。3.根据权利要求2所述的用于MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：所述凸出结构包括多个凸出部，所述多个凸出部分布于所述中心轴线方向的两侧，其中，所述中心轴线方向为所述石墨盘旋转时所述衬底所受离心力的方向。4.根据权利要求2所述的用于MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：所述凸出结构包括多个凸出部，所述多个凸出部分布于所述中心轴线方向上及分布于所述中心轴线方向的两侧，其中，所述中心轴线方向为所述石墨盘旋转时所述衬底所受离心力的方向。5.根据权利要求3或4所述的用于MOCVD设备中的石墨盘，其特征在于：分布于所述中心轴线方向的两侧的多个凸出部为基于所述中心轴线方向对称分布或不对称分布。6.根据权利要求3或4所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：林桂荣，邢志刚，徐春阳，巩前程，栾振兴，刘雷，王国斌，
申请(专利权)人：中晟光电设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31