The invention provides an edge protection ring structure, suitable for chemical vapor deposition equipment, the chemical vapor deposition apparatus includes a reaction chamber and an exhaust device, a heating device of the reaction chamber, the heating device is useful to place the tray on top of the wafer, the exhaust gas through the exhaust port setting device in the reaction chamber and the reaction chamber are communicated, which, the edge protection ring surrounding the heating device and the wafer edge design; protective ring includes a first part and the second part; the beneficial effect: replace the position of the exhaust port using low heat absorption coefficient of aluminum materials, reduce the heat the position of edge protection ring, the compensation due to local heat loss caused by pumping, optimization of reaction chamber heat distribution, so as to improve the uniformity of the thickness of titanium nitride films.
【技术实现步骤摘要】
一种边缘保护圈结构、反应室和化学气相沉积设备
本专利技术涉及集成电路制造
,尤其涉及一种适用化学气相沉积设备的边缘保护圈、反应室及化学气相沉积设备。
技术介绍
氮化钛作为一种低电阻率、高化学稳定性的介质材料广泛应用于金属接触和层间通孔工艺中。在传统半导体制程中,通常使用钛(Ti)和氮化钛(TiN)薄膜来连接钨(W)栓与下层的硅化物(Ni-silicide)。氮化钛作为钨的阻挡/黏附层,既能阻挡钨的扩散,避免钨栓生成过程中的反应气体六氟化钨(WF6)与下层的钛膜反应形成缺陷(defect);它与钨之间又有着良好的黏附性,能使得钨能够完全地粘连在接触孔上。为了达到理想的阶梯覆盖性能,通常使用MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,金属有机物化学气相沉积)的方法来生长阻挡/黏附层氮化钛膜。MOCVD是一种通过气体化学反应在衬底表面形成固体薄膜的工艺,此工艺对衬底的温度以及气体的浓度和输运速率非常敏感。氮化钛薄膜使用四次二甲基胺基钛(TDMAT)作为原料,通过受热分解生成氮化钛薄膜,反应区域微小的温度差异就会对生成的膜厚均一性产生影响。
技术实现思路
根据现有技术中存在的上述问题,现提供一种能补偿由于抽气造成的局部热量损失,优化反应室内热量分布,从而改善氮化钛薄膜厚度的均一性的边缘保护圈结构。本专利技术采用如下技术方案:一种边缘保护圈结构,适用于化学气相沉积设备中,所述化学气相沉积设备包括反应室和排气装置,所述反应室有一加热装置,所述加热装置顶部有用以放置圆晶的托盘,所述排气装置通过设置在所述反应室的排气口与所述反应室 ...
【技术保护点】
一种边缘保护圈结构,适用于化学气相沉积设备中,所述化学气相沉积设备包括反应室和排气装置,所述反应室有一加热装置,所述加热装置顶部有一用以放置圆晶的托盘,所述排气装置通过设置在所述反应室的排气口与所述反应室联通,其特征在于,所述边缘保护圈环绕于所述加热装置与所述圆晶的周围:所述边缘保护圈结构包括第一部分和第二部分;所述第一部分的吸热系数低于所述第二部分的吸热系数。
【技术特征摘要】
1.一种边缘保护圈结构,适用于化学气相沉积设备中,所述化学气相沉积设备包括反应室和排气装置,所述反应室有一加热装置,所述加热装置顶部有一用以放置圆晶的托盘,所述排气装置通过设置在所述反应室的排气口与所述反应室联通,其特征在于,所述边缘保护圈环绕于所述加热装置与所述圆晶的周围:所述边缘保护圈结构包括第一部分和第二部分;所述第一部分的吸热系数低于所述第二部分的吸热系数。2.如权利要求1所述的边缘保护圈结构,其特征在于,所述第一部分为靠近所述排气口位置的部分。3.如权利要求1所述的边缘保护圈结构,其特征在于,所述第二部分为所述边缘保护圈中除去所述第一部分后的剩余部分。4.如权利要求1所述的边缘保...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡俊晟,胡彬彬,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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