封装基板及其制作方法技术

技术编号:15799603 阅读:403 留言:0更新日期:2017-07-11 13:38
本发明专利技术公开了一种封装基板及其制作方法。该封装基板包括:一导线层,包含至少一金属走线;一导电连接单元,位于该导线层上;一电路晶片,具有至少一外接脚垫,并设置于该导电连接单元上;以及一铸模化合物层,包覆该导线层、该导电连接单元及该电路晶片;其中,该导电连接单元用以连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一金属走线的其中一个。

Packaging substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses a packaging substrate and a manufacturing method thereof. The package substrate includes a conductor layer, comprising at least one metal wire; a conductive connection unit located in the conductor layer; a circuit wafer, with at least one external pad, and is arranged on the conductive connecting unit; and a mold compound layer covering the conductor layer and the conductive connection unit and the chips; among them, the conductive connection unit is used to connect the at least one external pad in one of the at least one metal wire one.

【技术实现步骤摘要】
封装基板及其制作方法
本专利技术关于一种封装基板以及其制作方法,属于半导体

技术介绍
新一代电子产品不仅追求轻薄短小的高密度,更有朝向高功率发展的趋势;因此,积体电路(IntegratedCircuit,简称IC)技术及其后端的晶片封装技术亦随之进展,以符合此新一代电子产品的效能规格。电路晶片埋入封装基板的内埋元件技术,因为具有降低封装基板产品受到杂讯干扰及产品尺寸减小的优点,近年来已成为本领域制造商的研发重点。现有技术通常是先将电路晶片或晶粒埋入作为封装基板主体的铸模化合物中,再来制作作为封装基板电路布局的导线层。然而,导线层大多为宽度较窄的细线路,制程难度高,使得当导线层发生制作上的缺陷时,该电路晶片或晶粒也必须连带报废。此外,一旦电路晶片或晶粒被埋入封装基板中,该电路晶片或晶粒与外部电路的电性连接线路将会变得难以处理,例如,额外的雷射开孔、介电材料层压合等加工制程及复杂结构的电性连接线路,这些都会提高制造成本及降低产品良率。因此,有必要发展新的封装基板技术,以对治及改善上述的问题。
技术实现思路
为达成此目的,本专利技术提供一种封装基板,其包含:一导线层,包含至少一金属走线;一导电连接单元,位于该导线层上;一电路晶片,具有至少一外接脚垫,并设置于该导电连接单元上;以及一铸模化合物层,包覆该导线层、该导电连接单元及该电路晶片;其中,该导电连接单元用以连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一金属走线的其中一个。在一实施例中,该导电连接单元为一金属柱状物。在一实施例中,该导电连接单元为一焊锡凸块物。在一实施例中,该封装基板更包含一散热片,其设置于该电路晶片上,并连接该电路晶片。在一实施例中,该封装基板更包含一金属承载板,其设置于该导线层下。另一方面,本专利技术提供一种封装基板的制作方法,其步骤包含:提供一承载板;形成一第一导线层在该承载板上,使得该第一导线层包含至少一第一金属走线;形成一导电连接单元在该第一导线层上;设置一具有至少一外接脚垫的电路晶片在该导电连接单元上,使得该导电连接单元连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一第一金属走线的其中一个;以及形成一铸模化合物层在该电路晶片上,并使得该铸模化合物层充填该电路晶片与该承载板之间的空间。在一实施例中,该导电连接单元为一第一金属柱状物。在一实施例中,该导电连接单元为一焊锡凸块物。在一实施例中,该方法更包含:移除部分的该铸模化合物层,以露出该电路晶片的上表面;以及移除该承载板。在一实施例中,该方法更包含:设置一散热片在该电路晶片上,使得该散热片连接该电路晶片的上表面。在一实施例中,该方法更包含:形成一第二导线层在该铸模化合物层上,使得该第二导线层包含至少一第二金属走线;形成一导电柱层在该第二导线层上,该导电柱层包含至少一第二金属柱状物;以及形成一介电材料层在该铸模化合物层上,并使得该介电材料层包覆该铸模化合物层上所有的该至少一第二金属走线与该至少一第二金属柱状物。附图说明图1为根据本专利技术第一实施例封装基板的剖面示意图。图2~6为本专利技术第一实施例封装基板的各个制程步骤的剖面图。图7A及7B为根据本专利技术第二实施例的封装基板的剖面示意图。图8~10为根据本专利技术第三实施例封装基板的各个制程步骤的剖面图。附图标记说明:100、200、300—封装基板;110—承载板;120—第一导线层;121~125—第一金属走线;130、131~134—导电连接单元;140—电路晶片;141~144—外接脚垫;150—铸模化合物层;160—散热片;170—第二导线层;171~174—第二金属走线;180—导电柱层;181~184—金属柱状物;190—介电材料层。具体实施方式为使对本专利技术的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解,兹配合图式详细说明本专利技术的实施例如后。在所有的说明书及图示中,将采用相同的元件编号以指定相同或类似的元件。在各个实施例的说明中,当一元素被描述是在另一元素的「上方/上」或「下方/下」,指直接地或间接地在该另一元素之上或之下的情况,其可能包含设置于其间的其他元素;所谓的「直接地」指其间并未设置其他中介元素。「上方/上」或「下方/下」等的描述以图式为基准进行说明,但亦包含其他可能的方向转变。所谓的「第一」、「第二」、及「第三」用以描述不同的元素,这些元素并不因为此类谓辞而受到限制。为了说明上的便利和明确,图式中各元素的厚度或尺寸,以夸张或省略或概略的方式表示,且各元素的尺寸并未完全为其实际的尺寸。图1为根据本专利技术第一实施例的封装基板100的剖面示意图。该封装基板100包含:一第一导线层120、一导电连接单元130、一电路晶片140以及一铸模化合物层150。该第一导线层120代表该封装基板100的线路布局,其包含至少一第一金属走线;该导电连接单元130形成于该第一导线层120上,其数量可以是一个以上;该电路晶片140设置于该导电连接单元130上,且该电路晶片140具有至少一外接脚垫;为了说明上的方便,如第1图所示的例子,该第一导线层120具有五个第一金属走线(由左至右编号为121~125)、该导电连接单元130的数量为四个(由左至右编号为131~134)、该电路晶片140具有四个外接脚垫(由左至右编号为141~144),但其数量并不以此为限,端视该封装基板100线路布局的需要而定。各个导电连接单元131~134用以连接该等外接脚垫141~144的其中一个与该等第一金属走线121~125的其中一个;例如,该导电连接单元131连接该外接脚垫141与该第一金属走线121,该导电连接单元132连接该外接脚垫142与该第一金属走线122,该导电连接单元133连接该外接脚垫143与该第一金属走线123,该导电连接单元134连接该外接脚垫144与该第一金属走线124。此外,该铸模化合物层150则包覆该第一导线层120、该导电连接单元130及该电路晶片140,其超出该电路晶片140上表面的部分可作为该封装基板100最外侧的保护层。该第一导线层120的组成材质可以是铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)及镍/金(Ni/Au)的组合或合金,其可在电镀(Electrolyticplating)、溅镀(Sputteringcoating)或蒸镀(Evaporation)形成金属膜之后,通过微影蚀刻(Photolithography)的图案化制程来制作,作为该封装基板100的电路布局线路层的其中一层。在本实施例中,该第一导线层120具有五个第一金属走线121~125,如图1所示。该电路晶片140为一主动元件。在本实施例中,该电路晶片140的制作可以是以积体电路(IC)制程施加于半导体晶圆(wafer),并加以切割成晶粒(die),并已预先接上外接脚垫(例如,导电接脚(pin)、导电垫片(pad)或导电凸块(bump)),而将应用内埋元件技术而埋入该封装基板100中。藉此,可有效减低封装基板产品所受到的杂讯干扰及缩小其成品尺寸,而可应用于可携式装置的应用处理器(Applicationprocessor)及电源管理晶片。如图1所示,该电路晶片140具有四个外接脚垫141~144,当其设置于该导电连接单元130上时,能自我对位(Self-alignment)地将该等外接脚垫14本文档来自技高网...
封装基板及其制作方法

【技术保护点】
一种封装基板,其特征在于,包含:一导线层,包含至少一金属走线;一导电连接单元,位于该导线层上;一电路晶片,具有至少一外接脚垫,并设置于该导电连接单元上;以及一铸模化合物层,包覆该导线层、该导电连接单元及该电路晶片;其中,该导电连接单元用以连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一金属走线的其中一个。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板,其特征在于,包含:一导线层,包含至少一金属走线;一导电连接单元,位于该导线层上;一电路晶片,具有至少一外接脚垫,并设置于该导电连接单元上;以及一铸模化合物层,包覆该导线层、该导电连接单元及该电路晶片;其中,该导电连接单元用以连接该至少一外接脚垫的其中一个与该至少一金属走线的其中一个。2.如权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该导电连接单元为一金属柱状物。3.如权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该导电连接单元为一焊锡凸块物。4.如权利要求1所述的封装基板,其特征在于,更包含一散热片,其设置于该电路晶片上,并连接该电路晶片。5.如权利要求1所述的封装基板,其特征在于,更包含一金属承载板,其设置于该导线层下。6.一种封装基板的制作方法,其特征在于,步骤包含:(A)提供一承载板;(B)形成一第一导线层于该承载板上,使得该第一导线层包含至少一第一金属走线;(C)形成一导电连接单元在该第一导线层上;(D)设置一具有至少一外接脚垫的电路晶片在该导电连接单元上,使得该导电连接单元连接该至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡竹青许诗滨刘晋铭
申请(专利权)人:恒劲科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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