一种场效应晶体管的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种场效应晶体管的封装结构，包括载板和MOSFET芯片，所述载板上设置有凹槽；所述凹槽上分别设置第一导电金属层和第二导电金属层；所述源极导电片与第一导电金属层、栅极导电片与第二导电金属层之间分别设置有导电柱；所述载板上的导电金属层以及漏极导电片上设置有保护层，所述保护层上设置有焊盘，所述焊盘上设置有导电体。本实用新型专利技术源极导电片和栅极导电片分别通过导电金属层与载板连接，减少漏源极的导通电阻；通过在导电金属层与源极导电片和栅极导电片之间分别设置有导电柱，增加电流的导通效果；通过将焊盘设置在导电金属层的内部，提高焊盘的牢固性，具有封装体积小、散热性高、生产成本低和芯片使用寿命长的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管的封装结构
本技术属于半导体
，涉及到一种场效应晶体管的封装结构。
技术介绍
随着电子产品的不断发展，电子产品的体积越来越趋于小型化，不仅携带方便，而且器件上集成的器件数量也越来越多，因此预留给器件的空间越来越小，封装后的芯片必须轻薄短小。M0SFET(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管。由于M0SFET具有可实现低功耗电压控制的特性,近年来被广泛应用在大量电子设备中，包括电源、汽车电子、计算机和智能手机中等。M0SFET器件通过将适当电压施加至M0SFET器件的栅极而工作，其接通该器件并形成连接M0SFET的源极(source)和漏极(drain)的通道以允许电流流动。在M0SFET器件中，期望在该晶体管接通时具有低的漏源接通rfe阻(漏源电阻，drain-on-sourceresistance)RDS(onhM0SFET性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能，散热性能的好坏又主要取决于封装形式。M0STOT的封装要求是大电流的承载能力、高效的导热能力以及较小的封装尺寸。目前M0SFET封装主要是TO、SOT、S0P、QFP、QFN等形式，这类封装都是将芯片包裹在塑封体内，塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、短、薄、小方向发展的要求,而且无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了MS0FET性能提升，另外就封装工艺而言，这类封装都是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。
技术实现思路
本技术提供的一种场效应晶体管的封装结构，导电片和栅极导电片分别通过导电金属层与载板连接，减少漏源极的导通电阻；通过在导电金属层与源极导电片和栅极导电片之间分别设置有导电柱，增加电流的导通效果；通过将焊盘设置在导电金属层的内部，提高焊盘的牢固性，解决了场效应晶体管的封装体积大、散热性差以及漏源间的导通电阻大的问题。本技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种场效应晶体管的封装结构，包括载板和MOSFET芯片，所述载板上设置有凹槽；所述MOSFET芯片的正面设置有源极导电片和栅极导电片，背面设置有漏极导电片；所述凹槽上设置有导电金属层，所述导电金属层包括第一导电金属层和第二导电金属层，所述第一导电金属层和第二导电金属层之间存在间隙；所述源极导电片与第一导电金属层、栅极导电片与第二导电金属层之间分别设置有导电柱；所述载板上的导电金属层以及漏极导电片上设置有保护层，所述保护层上设置有焊盘，所述焊盘上设置有导电体。进一步地，所述第一导电金属层和第二导电金属层之间的间距为10-30um。进一步地，所述第一导电金属层和第二导电金属层的高度差为0-5um。进一步地，所述导电柱呈棱台或圆台状，所述两导电柱的小端面分别与源极导电片和栅极导电片连接，其中，两大端面分别与第一导电金属层和第二导电金属层连接。进一步地，还包括填充物，所述填充物设置在导电金属层的上表面、MOSFET芯片的正面以及导电柱的外表面所形成的区域内。进一步地，所述焊盘包括源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘，所述源极焊盘和栅极焊盘进入导电金属层的深度小于等于导电金属层的厚度；所述漏极焊盘与漏极导电片相接触。进一步地，所述导电体的形状为焊接凸块或焊接方形块，通过三个导电体分别与外界线路连接。本技术的有益效果：本技术源极导电片和栅极导电片分别通过导电金属层与载板连接，减少漏源极的导通电阻；通过在导电金属层与源极导电片和栅极导电片之间分别设置有导电柱，增加电流的导通效果；通过将焊盘设置在导电金属层的内部，提高焊盘的牢固性，该技术不仅具有封装体积小、散热性高的特点，而且大大降低了生产成本和生产周期，同时提高了芯片的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一种场效应晶体管的封装结构示意图；附图中，各标号所代表的部件列表如下：100-载板，200-MOSFET芯片，201-源极导电片，202-栅极导电片，203-漏极导电片，300-导电金属层，301-第一导电金属层，302-第二导电金属层，303-导电柱,304-填充物，400-凹槽，500-导电体，501-源极焊盘，502-栅极焊盘,503-漏极焊盘。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1所示，一种场效应晶体管的封装结构，包括载板100和MOSFET芯片200，载板100的中部有凹槽400结构，载板100的凹槽400上设置有导电金属层300，导电金属层300延伸至载板100的上表面，导电金属层300包括第一导电金属层301和第二导电金属层302，且第一导电金属层301和第二导电金属层302之间存在间隙，该间隙的距离为10-30um；MOSFET芯片200的正面包括源极区和栅极区，在源极区上设置有源极导电片201，在栅极区上设置有栅极导电片202；MOSFET芯片200的背面设置有漏极区，在漏极区上设置有漏极导电片203。源极导电片201和栅极导电片202分别设置在凹槽内，源极导电片201和栅极导电片202分别与第一导电金属层301和第二导电金属层302之间设置有导电柱303；源极导电片201和栅极导电片202分别通过导电柱303与第一导电金属层301和第二导电金属层302连接。其中导电柱303呈棱台或圆台状，两导电柱303的小端面分别与源极导电片201和栅极导电片202连接，两大端面分别与第一导电金属层301和第二导电金属层302连接。凹槽400底部的上表面与MOSFET芯片200的上表面之间设置有填充物304，导电金属层300的上表面、MOSFET芯片200的正面以及导电柱303的外表面所形成的区域内设置有填充物304。在载板100的上表面和漏极导电片203的上表面设置有保护层400，保护层400为一体化结构，与有源极导电片201和栅极导电片202相连的导电金属层300的上表面以及漏极导电片203的上表面对应的保护层400上分别设置有三个开口，在开口处设置有源极焊盘501、栅极焊盘502和漏极焊盘503，源极焊盘501和栅极焊盘502的底部与导电金属层300接触或进入导电金属层300内，且进入的深度小于等于导电金属层300的厚度；漏极焊盘503与漏极导电片203相接触。源极焊盘501、栅极焊盘502和漏极焊盘503上分别设置有导电体500，导电体500的形状为焊接凸块或焊接方形块，通过三个导电体500分别与外界线路连接，实现信号的流动。本实施例中导电金属层300未延伸至载板100的边缘，使得保护层400将导电金属层300包封，避免导电金属层300与其他导电体接触。本技术源极导电片和栅极导电片分别通过导电金属层与载板连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管的封装结构，包括载板(100)和MOSFET芯片(200)，所述载板(100)上设置有凹槽(400)；所述MOSFET芯片(200)的正面设置有源极导电片(201)和栅极导电片(202)，背面设置有漏极导电片(203)，其特征在于：所述凹槽(400)上设置有导电金属层(300)，所述导电金属层(300)包括第一导电金属层(301)和第二导电金属层(302)，所述第一导电金属层(301)和第二导电金属层(302)之间存在间隙；所述源极导电片(201)与第一导电金属层(301)、栅极导电片(202)与第二导电金属层(302)之间分别设置有导电柱(303)；所述载板(100)上的导电金属层(300)以及漏极导电片(203)上设置有保护层(400)，所述保护层(400)上设置有焊盘，所述焊盘上设置有导电体(500)。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的封装结构，包括载板(100)和MOSFET芯片(200)，所述载板(100)上设置有凹槽(400)；所述MOSFET芯片(200)的正面设置有源极导电片(201)和栅极导电片(202)，背面设置有漏极导电片(203)，其特征在于：所述凹槽(400)上设置有导电金属层(300)，所述导电金属层(300)包括第一导电金属层(301)和第二导电金属层(302)，所述第一导电金属层(301)和第二导电金属层(302)之间存在间隙；所述源极导电片(201)与第一导电金属层(301)、栅极导电片(202)与第二导电金属层(302)之间分别设置有导电柱(303)；所述载板(100)上的导电金属层(300)以及漏极导电片(203)上设置有保护层(400)，所述保护层(400)上设置有焊盘，所述焊盘上设置有导电体(500)。2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的封装结构，其特征在于：所述第一导电金属层(301)和第二导电金属层(302)之间的间距为10-30um。3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的封装结构，其特征在于：所述第一导电金属层(301)和...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭勇，尤文胜，
申请(专利权)人：合肥市华达半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34