The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same. In which a plurality of light receiving element is to provide a semiconductor device at each of a plurality of pixels form a solid-state image sensor in, to prevent the decrease of the performance of semiconductor devices, the decrease due to increase of the number of wires. In the pixel having first and second photodiodes in the first transistor is coupled to the transmission of the first photodiode and a transfer transistor is coupled to the second second photodiodes are respectively controlled by the same gate electrode, thereby allowing for the number of the first transmission wire control transistor and the second transistor is to reduce transmission.
【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用将于2015年10月30日提交的日本专利申请No.2015-215205的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用的方式整体并入本文。
本专利技术涉及半导体器件和其制造方法,并且具体地涉及当被应用到包括固态图像传感器的半导体器件时有效的技术。
技术介绍
为了通过使用数字相机捕捉高质量移动图片,重要的是以高速且准确地执行自动对焦检测。近来已经开发了数字相机,其中包括多个像素的固态图像传感器被使用并且自动对焦调整通过图像表面相位差检测方法来执行,其中每个像素被提供具有两个光电转换部件。专利文献1(日本待审专利申请公开No.2004-228645)描述了在其中在像素之间的间隔很小的固态图像传感器中,在像素之上的微透镜被布置在非线性间距处。额外地,专利文献2(日本待审专利申请公开No.2013-93554)描述了在其中在像素之间的空间很小并且两个光电二极管被布置在一个像素中的固态图像传感器中,在像素之上的微透镜的形状被改变。额外地,非专利文献1描述了当在像素之间的间隔很小时采用的像素图案布局。[相关技术文献][专利文献][专利文献1]日本待审专利申请公开No.2004-228645[专利文献2]日本待审专利申请公开No.2013-93554[非专利文献][非专利文献1]PercevalCoudrain和其他九个人的“TowardsaThree-DimensionalBack-IlluminatedMiniaturizedCMOSPixelTechnologyusing100nmInter-LayerContacts”(2009国际图像传感器研讨 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,具有固态图像传感器,所述固态图像传感器被提供有包括第一光电二极管和第二光电二极管的像素;所述半导体器件包括:半导体衬底;所述第一光电二极管和所述第二光电二极管,被排列在有源区中的所述半导体衬底的上表面之上;栅极电极,被形成在所述半导体衬底之上;第一传输晶体管,具有所述栅极电极并且将所述第一光电二极管中的电荷传输到浮动扩散电容部分;以及第二传输晶体管,具有所述栅极电极并且将所述第二光电二极管中的电荷传输到所述浮动扩散电容部分。
【技术特征摘要】
2015.10.30 JP 2015-2152051.一种半导体器件,具有固态图像传感器,所述固态图像传感器被提供有包括第一光电二极管和第二光电二极管的像素;所述半导体器件包括:半导体衬底;所述第一光电二极管和所述第二光电二极管,被排列在有源区中的所述半导体衬底的上表面之上;栅极电极,被形成在所述半导体衬底之上;第一传输晶体管,具有所述栅极电极并且将所述第一光电二极管中的电荷传输到浮动扩散电容部分;以及第二传输晶体管,具有所述栅极电极并且将所述第二光电二极管中的电荷传输到所述浮动扩散电容部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一光电二极管的面积在平面视图中大于所述第二光电二极管的面积。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一传输晶体管的阈值电压小于所述第二传输晶体管的阈值电压。4.根据权利要求3所述的半导体器件,还包括:第一半导体区,被形成在所述半导体衬底的所述上表面之上、在形成所述第一传输晶体管的所述栅极电极正下方并且具有第一导电类型;以及第二半导体区,被形成在所述半导体衬底的所述上表面之上、在形成所述第二传输晶体管的所述栅极电极正下方并且具有所述第一导电类型,其中所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管是与所述第一导电类型不同的第二导电类型的场效应晶体管,并且其中所述第一半导体区的所述第一导电类型的杂质的浓度小于所述第二半导体区的所述第一导电类型的杂质的浓度。5.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:阱区,被形成在所述半导体衬底的所述上表面之上并且具有第一导电类型;以及第三半导体区和第四半导体区,具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并且被排列在所述阱区的上表面之上,其中所述第三半导体区形成所述第一光电二极管,并且所述第四半导体区形成所述第二光电二极管,并且其中所述第三半导体区的所述第二导电类型的杂质的浓度小于所述第四半导体区的所述第二导电类型的杂质的浓度。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中包括所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的多个传输晶体管和包括所述第一光电二极管和所述第二光电二极管的多个光电二极管被形成在所述像素中,并且其中形成所述传输晶体管的栅极电极的数量小于所述光电二极管的数量。7.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:导线,被电耦合到所述栅极电极。8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述固态图像传感器是正面照明类型的固态图像传感器。9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述固态图像传感器是背面照明类型的固态图像传感器。10.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:透镜,被形成在所述像素正上方,其中所述透镜具有在平面视图中的圆形形状,并且其中所述透镜的中心在平面视图中被定位在所述像素中的所述第一光电二极管与所述像素中的所述第二光电...
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