【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2005-340247号
2、存在一种半导体器件，其中半导体芯片通过倒装芯片连接方法安装在包括多个布线层的布线衬底上。例如，专利文献1公开了一种结构，作为对抗布线衬底中的数字信号的串扰噪声的对策，在该结构中，各自用作屏蔽的接地平面和电源平面(“平面”是指大面积导体图案)被布置在其中布置信号传输端子的布线层和其中布置信号传输布线的布线层之间。
技术实现思路
1、为了稳定半导体器件中的电路的操作，随着半导体器件的更高功能化，需要一种用于减少被配置为向电路供电的路径中的噪声的影响的技术。例如，可以在半导体器件中的半导体芯片中提供诸如锁相环(pll)电路的模拟电路以便稳定数字信号的传输质量。与数字电路相比，噪声更容易影响模拟电路中的电路操作，并且因此被配置为向模拟电路供电的路径可以优选地在路径距离上短于其他路径(诸如被配置为向数字电路供电的路径)。
2、然而，随着半导体器件的更高功能性，半导体器件中外部端子的数量趋于增加。为了减小半导体器件的尺寸，外部端子的布置密度趋于增加。因此，半导体芯片的电极和被配置为向模拟电路供电的相应外部端子之间的一些路径在路径距离上可能更长。从半导体芯片的电极到外部端子的长路径距离的功率供应路径在功率供应路径中具有大的电感分量。因此，由于噪声的影响，在此路径中流动的电源电位或参考电位容易改变。
3、根据本说明书和附图的描述，其他问题和新颖特征将变得
4、根据一个实施例的半导体器件包括包含多个布线层的布线衬底和包含第一模拟电路的半导体芯片。能够向第一模拟电路供应第一电源电位的第一电源电位图案和能够向第一模拟电路供应第一参考电位的第一参考电位图案与第一模拟电路电连接。第一电源电位图案和第一参考电位图案中的一个设置在布线层之中最接近布线衬底的下表面的第一布线层中。第一电源电位图案和第一参考电位图案中的另一个设置在第一布线层之后最接近下表面的第二布线层中。第一电源电位图案和第一参考电位图案在相同的方向上延伸，同时相互重叠。
5、根据上述实施例，可以提高半导体器件的性能。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求2所述的半导体器件，
7.根据权利要求2所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求8所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.根据权利要求10所述的半导体器件，
12.根据权利要求1所述的半导体器件，
13.根据权利要求12所述的半导体器件，
14.根据权利要求2所述的半导体器件，
15.根据权利要求2所述的半导体器件，
16.根据权利要求1所述的半导体器件，
17.根据权利要求1所述的半导体器件，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求2所述的半导体器件，
7.根据权利要求2所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求8所述的半导体器件...
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