【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，更具体地，涉及包括nmos晶体管和pmos晶体管的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、最近，已经提出了包括具有多个纳米片的nmos晶体管和pmos晶体管的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，该半导体装置。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了具有多个纳米片的nmos晶体管和pmos晶体管的半导体装置。
2、本公开的实施例提供了制造包括具有多个纳米片的nmos晶体管和pmos晶体管的半导体装置的方法。
3、根据本公开的实施例的半导体装置包括：nmos晶体管结构，其形成在衬底的nmos区之上；以及pmos晶体管结构，其形成在所述衬底的pmos区之上。所述nmos晶体管结构包括：nmos源极/漏极区，其形成在所述衬底之上；以及nmos沟道图案和nmos栅结构，其反复交替地堆叠在水平方向上的所述nmos源极/漏极区之间的衬底之上。所述pmos晶体管结构包括：pmos源极/漏极区，其形成在所述衬底...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.一种半导体装置，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹荣广，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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