封装结构及封装方法技术

一种封装结构及封装方法，其中，所述封装方法包括：提供芯片单元，所述芯片单元具有第一表面，所述第一表面包括器件区域；提供保护盖板，所述保护盖板具有第二表面；形成粘度可变的粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述保护盖板的第二表面相对粘结；对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域。本发明专利技术实施例的封装方法，通过光源照射或者加热的方式，形成具有不同粘度的第一区域和第二区域，使芯片单元与保护盖板之间的结合力降低但并未完全消除，在后续封装结构上板期间，保护盖板仍能保护封装结构不受污染或者损伤；而完成上板后，保护盖板容易被去除，避免影响芯片单元的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
晶圆级芯片封装(Wafer Level Chip Size Packaging,WLCSP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术。经晶圆级芯片封装技术封装后的芯片达到了高度微型化，芯片成本随着芯片的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。该技术顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化的要求，从而成为当前封装领域的热点和发展趋势。影像传感芯片作为一种将光学图像信号转换成电子信号的芯片，其具有感应区域，在利用现有的晶圆级芯片封装技术对影像传感芯片进行封装时，为保护影像传感器的感应区域不受损伤及污染，通常需要在感光区位置形成一个封装盖以保护其感光区域。考虑到光线的正常传递，封装盖通常为透明基板。透明基板可作为影像传感芯片封装体形成过程中的支撑，使制程得以顺利进行。在完成晶圆级芯片封装后，透明基板仍会继续保留，在后续影像传感芯片的使用过程中，继续保护感应区域免受损伤和污染。然而，透明基板的存在仍会降低影像传感芯片的性能。因为透明基板或多或少会吸收、折射及/或反射部分进入影像传感晶片的感测元件区的光线，从而影响影像感测的品质，而光学品质足够的透明基板却造价不菲。现有技术中通常在完成晶圆级芯片封装后，去除透明基板。但去除了透明基板后的影像传感芯片在客户端上板等后续工艺中(例如与印刷电路板电连接时)，仍无法避免其感应区域受到损伤和污染。因此，需要一种在保护影像传感芯片的感应区域免受损伤和污染的同时，又不影响其性能的封装方法。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种封装结构及封装方法，能够保护影像
传感芯片的感应区域，同时不影响影像传感器的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种封装结构及封装方法，其中，所述封装结构包括：芯片单元，所述芯片单元具有第一表面，所述第一表面包括器件区域；保护盖板，所述保护盖板具有第二表面，所述第二表面与所述芯片单元的第一表面相对；粘合单元，位于所述芯片单元的第一表面和所述保护盖板的第二表面之间，用于将所述芯片单元和所述保护盖板相粘结，其中，所述粘合单元包括具有不同粘度的第一区域和第二区域。可选地，所述第一区域的粘度低于所述第二区域的粘度。可选地，所述第一区域的粘度为零。可选地，所述第一区域的体积占所述粘合单元的体积的30％至90％。可选地，所述粘合单元包括第一粘合层，所述第一区域和所述第二区域位于所述第一粘合层内。可选地，所述粘合单元包括第一粘合层、第二粘合层和位于所述第一粘合层和第二粘合层之间的透明基底，所述第一粘合层位于所述透明基底和所述保护盖板的第二表面之间，所述第二粘合层位于所述透明基底和所述芯片单元的第一表面之间。可选地，所述第一区域和第二区域位于所述第一粘合层内。可选地，所述粘合单元的第一区域为所述第一粘合层，所述粘合单元的第二区域为所述第二粘合层。可选地，还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述芯片单元的第一表面和所述粘合层之间，所述器件区域位于所述支撑结构与所述粘合层围成的凹槽内。可选地，还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述芯片单元的第一表面和所述粘合层之间，所述支撑结构通过粘胶层与所述芯片单元的第一表面相粘结，所述器件区域位于所述支撑结构与所述粘合层围成的凹槽内。相应地，本专利技术实施例还提供一种封装方法，包括：提供芯片单元，所述芯片单元具有第一表面，所述第一表面包括器件区域；提供保护盖板，所
述保护盖板具有第二表面；形成粘度可变的粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述保护盖板的第二表面相对粘结；对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域。可选地，形成的所述第一区域的粘度低于所述第二区域的粘度。可选地，形成的所述第一区域的粘度为零。可选地，形成的所述第一区域的体积占所述粘合单元的体积的30％至90％。可选地，所述粘合单元包括第一粘合层。可选地，所述粘合单元包括第一粘合层、第二粘合层和位于所述第一粘合层和第二粘合层之间的透明基底，所述第一粘合层位于所述透明基底和所述保护盖板的第二表面之间，所述第二粘合层位于所述透明基底和所述芯片单元的第一表面之间。可选地，对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：对所述第一粘合层进行处理，在所述第一粘合层内形成所述第一区域和第二区域。可选地，对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：对所述第一粘合层进行处理，使所述第一粘合层粘度降低，所述第一粘合层作为所述第一区域，所述第二粘合层作为所述粘合单元的第二区域。可选地，所述第一粘合层的材料为具有第一解键合波长的光敏感粘胶，对所述第一粘合层进行处理，在所述第一粘合层内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：采用波长为第一解键合波长的光源，照射所述第一粘合层的部分区域，所述光源照射到的所述部分区域的粘度降低，形成第一区域；所述光源未照射到的所述第一粘合层的其他区域的粘度不变，形成第二区域。可选地，所述第一粘合层为具有第一解键合波长的光敏感粘胶，所述第二粘合层为具有第二解键合波长的光敏感粘胶，所述第一解键合波长不等于
所述第二解键合波长，对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：采用波长为第一解键合波长的光源照射所述粘合单元，所述第一粘合层失去粘度，形成第一区域，所述第二粘合层的粘度不变，形成第二区域。可选地，所述光源为激光，照射所述粘合层的部分区域包括：采用激光光源沿预设路径照射部分所述保护盖板的第三表面，所述第三表面与第二表面相对。可选地，所述光源为面光源，照射所述粘合层的部分区域包括：在所述保护盖板的第三表面形成图形化的遮光层，所述图形化的遮光层暴露出部分保护盖板，所述第三表面与所述第二表面相对；使用所述面光源照射所述第三表面。可选地，所述保护盖板的材料为可透光材料。可选地，所述第一粘合层的材料为热熔胶，对所述第一粘合层进行处理，在所述第一粘合层内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：通过激光或超声波照射所述第一粘合层的部分区域，被照射的所述部分区域的粘度降低，形成所述第一区域；未被照射的所述第一粘合层的其他区域的粘度不变，形成所述第二区域。可选地，形成粘度可变的粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述保护盖板的第二表面相对粘结包括：在所述保护盖板的第二表面形成粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述粘合单元相粘结；或者在所述芯片单元的第一表面形成粘合单元，将所述保护盖板的第二表面与所述粘合单元相粘结。可选地，形成粘度可变的粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述保护盖板的第二表面相对粘结包括：在所述保护盖板的第二表面形成粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述粘合单元相粘结；或者在所述芯片单元的第一表面形成粘合单元，将所述保护盖板的第二表面与所述粘合单元相粘结。可选地，形成粘度可变的粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述
保护盖板的第二表面相对粘结包括：在所述保护盖板上形成粘合单元；在所述粘合单元上形成支撑结构；将所述支撑结构与所述芯片单元的第一表面通过粘胶层相粘结，且使所述器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：芯片单元，所述芯片单元具有第一表面，所述第一表面包括器件区域；保护盖板，所述保护盖板具有第二表面，所述第二表面与所述芯片单元的第一表面相对；粘合单元，位于所述芯片单元的第一表面和所述保护盖板的第二表面之间，用于将所述芯片单元和所述保护盖板相粘结，其中，所述粘合单元包括具有不同粘度的第一区域和第二区域。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：芯片单元，所述芯片单元具有第一表面，所述第一表面包括器件区域；保护盖板，所述保护盖板具有第二表面，所述第二表面与所述芯片单元的第一表面相对；粘合单元，位于所述芯片单元的第一表面和所述保护盖板的第二表面之间，用于将所述芯片单元和所述保护盖板相粘结，其中，所述粘合单元包括具有不同粘度的第一区域和第二区域。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一区域的粘度低于所述第二区域的粘度。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一区域的粘度为零。4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一区域的体积占所述粘合单元的体积的30％至90％。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述粘合单元包括第一粘合层，所述第一区域和所述第二区域位于所述第一粘合层内。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述粘合单元包括第一粘合层、第二粘合层和位于所述第一粘合层和第二粘合层之间的透明基底，所述第一粘合层位于所述透明基底和所述保护盖板的第二表面之间，所述第二粘合层位于所述透明基底和所述芯片单元的第一表面之间。7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一区域和第二区域位于所述第一粘合层内。8.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述粘合单元的第一区域为所述第一粘合层，所述粘合单元的第二区域为所述第二粘合层。9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述芯片单元的第一表面和所述粘合单元之间，所述器件区域位于所述支撑结构与所述粘合单元围成的凹槽内。10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述芯片单元的第一表面和所述粘合单元之间，所述支撑结构通过
\t粘胶层与所述芯片单元的第一表面相粘结，所述器件区域位于所述支撑结构与所述粘合单元围成的凹槽内。11.一种封装方法，其特征在于，包括：提供芯片单元，所述芯片单元具有第一表面，所述第一表面包括器件区域；提供保护盖板，所述保护盖板具有第二表面；形成粘度可变的粘合单元，将所述芯片单元的第一表面与所述保护盖板的第二表面相对粘结；对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域。12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，形成的所述第一区域的粘度低于所述第二区域的粘度。13.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，形成的所述第一区域的粘度为零。14.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，形成的所述第一区域的体积占所述粘合单元的体积的30％至90％。15.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述粘合单元包括第一粘合层。16.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述粘合单元包括第一粘合层、第二粘合层和位于所述第一粘合层和第二粘合层之间的透明基底，所述第一粘合层位于所述透明基底和所述保护盖板的第二表面之间，所述第二粘合层位于所述透明基底和所述芯片单元的第一表面之间。17.如权利要求15或16所述的封装方法，其特征在于，对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：对所述第一粘合层进行处理，在所述第一粘合层内形成所述第一区域和第二区域。18.如权利要求16所述的封装方法，其特征在于，对所述粘合单元进行处理，在所述粘合单元内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包括：对所述第一粘合层进行处理，使所述第一粘合层粘度降低，所述第一粘合层作为所述第一区域，所述第二粘合层作为所述粘合单元的第二区域。19.如权利要求17所述的封装方法，其特征在于，所述第一粘合层的材料为具有第一解键合波长的光敏感粘胶，对所述第一粘合层进行处理，在所述第一粘合层内形成具有不同粘度的第一区域和第二区域包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王之奇，王卓伟，陈立军，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32