封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种封装结构及其制造方法。该封装结构包括：封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上，本发明专利技术中制造设备和制造工艺简单，从而降低了生产成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种封装结构及其制造方法。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)具有自发光的特性，当有电流通过时，OLED就会发光。OLED显示装置可视角度大，且能够显著节省电能，因此OLED显示装置具备了许多液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称：LCD)不可比拟的优势，在显示
的应用越来越广泛。由于OLED中的有机膜层结构易受水氧侵蚀而失效，因此需要在OLED上方形成能够阻隔水氧的封装层以实现对OLED的保护。封装层通常采用高阻水性的硬质封装基板，例如玻璃或金属片。具体地，可在承载OLED的基板上涂覆封装胶，封装胶位于OLED之外的区域，通过封装胶将承载OLED的基板和硬质封装基板贴合起来，在承载OLED的基板和硬质封装基板之间形成水氧分子难以渗透的密闭空间，从而实现对OLED的保护。但是，由于硬质封装基板本身增加了工艺复杂度，且工艺本身的良率也不是很高，因此对OLED的量产性造成了一定的影响。且硬质封装基板属于刚性器件，其柔性较差，在柔性技术空前受欢迎的今天，不适用于对柔性OLED进行封装。为解决上述硬质封装基板不适用于对柔性OLED进行封装的问题，现有技术中提出了采用阻水性薄膜作为封装层的技术方案。阻水性薄膜可采用致密的薄膜，例如：SiOx，但是致密的薄膜弯曲性差；或者，阻水性薄膜可采用弯曲性好的薄膜，例如：聚合物膜，但弯曲性好的薄膜阻水性差。因此，现有技术中为获得具有较好的阻水性和弯曲性的封装层，通常采用无机层和有机层多层交叠设置的结构作为封装层。但是由于封装层的厚度较厚且需要考虑寄生电容和应力等因素，因此此种封装层中的膜层数多且每一层结构均需要根据材料采用相应的膜制备工艺制成，因此制造封装层
的过程中所需的膜制备工艺种类多、步骤多且制造时间长，制造过程需要在惰性保护环境(例如：真空或者氮气环境)中，且制造过程需要采用多种复杂设备，从而提高了生产成本，降低了生产效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构及其制造方法，用于降低生产成本，提高生产效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种封装结构，包括：封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上。可选地，所述生长层的材料为铜。可选地，所述石墨烯层的厚度为2nm至10nm。可选地，所述封装层还包括阻挡层，，所述阻挡层位于所述生长层和所述发光器件之间，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。可选地，所述阻挡层包括第一子阻挡层。可选地，所述阻挡层还包括第二子阻挡层；所述第一子阻挡层为一层且所述第二子阻挡层为一层时，所述第二子阻挡层位于所述第一子阻挡层之上；或者所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层交替设置。可选地，所述第一子阻挡层的厚度为50nm至200nm。可选地，所述第二子阻挡层的厚度为50nm至200nm。可选地，若所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述阻挡层的厚度为0.1μm至10mm。为实现上述目的，本专利技术提供了一种封装结构的制造方法，包括：制备发光器件；在所述发光器件的上方形成生长层；在生长层之上生长石墨烯层。可选地，所述生长层的厚度为3nm至10nm。可选地，所述生长层的材料为铜。可选地，所述在所述发光器件的上方形成生长层之前还包括：在所述发光器件之上形成阻挡层；所述在所述发光器件的上方形成生长层包括：在所述阻挡层之上形成生长层，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。可选地，所述在生长层之上生长石墨烯层还包括：通过所述生长层的吸附作用，采用化学气相沉积工艺在所述生长层之上生长石墨烯层。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的封装结构及其制造方法的技术方案中，封装层包括石墨烯层和生长层，生长层位于发光器件的上方，石墨烯层位于生长层之上，本专利技术中制造设备和制造工艺简单，从而降低了生产成本，提高了生产效率。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种封装结构的结构示意图；图2为实施例一中阻挡层的一种结构示意图；图3为实施例一中阻挡层的另一种结构示意图；图4为本专利技术实施例二提供的一种封装结构的制造方法的流程图；图5a为实施例二中形成发光器件的示意图；图5b为实施例二中形成阻挡层的示意图；图5c为实施例二中形成生长层的示意图；图5d为实施例二中形成石墨烯层的示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的封装结构及其制造方法的进行详细描述。图1为本专利技术实施例一提供的一种封装结构的结构示意图，如图1所示，该封装层包括封装层10和发光器件20，封装层10包括石墨烯层1和生长层2，生长层2位于发光器件20的上方，石墨烯层1位于生长层2之上。本实施例中，封装层形成于发光器件之上以实现对发光器件的封装，
其中，发光器件为OLED。优选地，OLED可包括基底、位于基底之上的阳极、位于阳极之上的空穴注入层、位于空穴注入层之上的有机发光层、位于有机发光层之上的电子传输层和位于电极传输层之上的阴极。由于石墨烯本身具备良好的柔韧性和透光性且其结构的稳定性高，因此当封装后的发光器件20承受弯折等动作时，石墨烯层1能够提高发光器件20本身的耐受性，从而使得石墨烯层1非常适用于对发光器件20的封装。本实施例中，可首先形成生长层2，而后通过生长层2的吸附作用在生长层2之上生长石墨烯层1。生长层2的材料为铜。由于铜本身对石墨烯具备吸附作用，因此生长层2采用材料铜有利于石墨烯层1的沉积和生长。另外，由于铜具备良好的延展性和柔韧性且在厚度较薄的情况下对光的透过性较好，因此当发光器件20承受弯折等动作时，生长层2加上石墨烯层1的复合结构可以极大的提高发光器件20本身的耐受性，从而使得石墨烯层1非常适用于对发光器件20的封装。本实施例中，石墨烯层1的厚度为2nm至10nm。石墨烯层1采用上述厚度是由石墨烯本身的特性决定的，采用上述厚度可更好的实现作为发光器件20的封装层10的作用。进一步地，该封装层10还包括：阻挡层2，阻挡层2位于生长层1和发光器件20之间，阻挡层2用于阻挡生长层1的扩散。本实施例中的封装层10形成于发光器件20之上以实现对发光器件20的封装，其中在封装层10的制造过程中以及封装层10制造完成后，生长层1的材料铜会向发光器件20所在位置扩散，设置阻挡层2可对扩散的铜起到阻挡作用，有效防止铜扩散至发光器件20，从而避免了扩散的铜对发光器件20造成损伤。作为第一种可选方案，该阻挡层2包括第一子阻挡层。此时，该阻挡层2中仅包括一层第一子阻挡层。优选地，第一子阻挡层的厚度为50nm至200nm，第一子阻挡层的厚度较小，采用此厚度可在有效阻挡生长层的材料铜扩散的基础上达到节约材料的目的。其中，第一子阻挡层的材料优选但不限于SiOx，采用SiOx可有效阻挡生长层的材料铜扩散至发光器件。作为第二种可选方案，图2为实施例一中阻挡层的一种结构示意图，
如图2所示，该阻挡层2包括第一子阻挡层21和第二子阻挡层22。第一子阻挡层21为一层且第二子阻挡层22为一层时，第二子阻挡层22位于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：封装层和发光器件，所述封装层包括石墨烯层和生长层，所述生长层位于所述发光器件的上方，所述石墨烯层位于所述生长层之上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述生长层的材料为铜。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为2nm至10nm。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装层还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述生长层和所述发光器件之间，所述阻挡层用于阻挡生长层的扩散。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层包括第一子阻挡层。6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层还包括第二子阻挡层；所述第一子阻挡层为一层且所述第二子阻挡层为一层时，所述第二子阻挡层位于所述第一子阻挡层之上；或者所述第一子阻挡层为多层且所述第二子阻挡层为多层时，所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层交替设置。7.根据权利要求5或6所述的封装结构，其特征在于，所述第一子阻挡层的厚度为50nm至200nm。8.根据权利要求6所述的封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛亚男，田宏伟，陈蕾，贺增胜，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11