【技术实现步骤摘要】
本技术是关于半导体封装，特别是关于一种芯片封装结构。
技术介绍
1、现有的芯片，如cmos image sensor-互补金属氧化物半导体图像传感器(简称cis芯片)，其晶圆级芯片封装(wafer level-chip scale package，wl-csp)的封装结构中，作为保护盖板的玻璃厚度过大，常见的玻璃的厚度约为300μm-400μm，且保护盖板与芯片之间还设置有作为支撑结构的围堰，围设在芯片的功能区边缘，并与保护盖板一起限定出一保护腔。围堰同样具有一定高度，因此更加导致了芯片封装结构的厚度过后，继而造成后续的模组封装厚度过后、尺寸过大，影响了整个模组的尺寸。
2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种芯片封装结构，实现芯片超薄封装的同时能提升封装可靠性。
2、为实现上述目的，本技术的实施例提供了一种芯片封装方法，包括：提供晶圆级芯片，所述晶圆级芯片具有第一表面，所述第一表面上形成有功能区；提供透明基板，所述透明基板具有第二表面，在所述透明基板的第二表面上形成凹槽；对所述透明基板的第二表面进行减薄；将所述透明基板的第二表面设置于所述晶圆级芯片的第一表面上，所述凹槽与所述功能区对应，且所述凹槽覆盖所述功能区。
3、在本技术的一个或多个实施方式中，所述透明基板的厚度为200μm-400μm
4、在本技术的一个或多个实施方式中，所述透明基板的第二表面的减薄厚度为20μm-40μm。
5、在本技术的一个或多个实施方式中，所述透明基板选自玻璃基板。
6、在本技术的一个或多个实施方式中，对所述透明基板的第二表面进行减薄，包括：提供临时载板，将所述临时载板键合于所述透明基板未设置凹槽的表面上；通过减薄工艺对所述透明基板的第二表面进行减薄。
7、在本技术的一个或多个实施方式中，所述临时载板的材质包括硅或玻璃。
8、在本技术的一个或多个实施方式中，所述临时载板的厚度为50μm-100μm。
9、在本技术的一个或多个实施方式中，在将晶圆级芯片的第一表面设置于透明基板的第二表面后，所述芯片封装方法还包括：对晶圆级芯片进行csp封装；去除临时载板；切割所述晶圆级芯片以及透明基板以获得单颗芯片封装结构。
10、本技术的实施例还提供了一种芯片封装结构，包括芯片以及透明基板。所述芯片具有第一表面，所述第一表面上形成有功能区；所述透明基板具有第二表面，所述第二表面上形成有凹槽，所述透明基板的第二表面设置于所述芯片的第一表面上，所述凹槽覆盖所述芯片的功能区设置。
11、在本技术的一个或多个实施方式中，所述透明基板的厚度为200μm-400μm；所述凹槽的深度为80μm-160μm。
12、在本技术的一个或多个实施方式中，所述透明基板选自玻璃基板。
13、在本技术的一个或多个实施方式中，所述芯片还包括：位于所述功能区外的焊垫；所述芯片具有与所述第一表面相对设置的第三表面，所述第三表面上设置有外接凸起，所述外接凸起与所述焊垫之间通过金属层电连接。
14、在本技术的一个或多个实施方式中，所述芯片的第三表面上形成有贯通至所述焊垫的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；所述金属层设置于所述通孔内的焊垫上，并自所述焊垫沿所述通孔的内壁延伸至所述第三表面上，所述外接凸起设置于所述金属层上。
15、在本技术的一个或多个实施方式中，所述金属层与所述通孔的内壁以及所述芯片的第三表面之间设置有绝缘层。
16、在本技术的一个或多个实施方式中，所述芯片还包括：阻焊层，所述阻焊层覆盖所述金属层设置，所述阻焊层上设置有开口，所述开口暴露出部分所述金属层。
17、在本技术的一个或多个实施方式中，所述外接凸起设置于所述开口内的金属层上。
18、本技术的实施例还提供了一种芯片封装结构，包括芯片以及玻璃盖板。芯片具有第一表面，所述第一表面上形成有功能区；玻璃盖板具有第二表面，所述第二表面上键合有玻璃围堰，所述玻璃盖板设置于所述芯片的第一表面上，所述玻璃围堰位于所述玻璃盖板和所述芯片之间，且所述功能区位于所述玻璃围堰和所述玻璃盖板的第二表面围成的凹槽之内。
19、在本技术的一个或多个实施方式中，所述玻璃盖板的厚度为100μm-200μm；所述玻璃围堰的高度为80μm-160μm。
20、与现有技术相比，根据本技术实施方式的芯片封装方法及芯片封装结构，实现芯片超薄封装的同时能提升封装可靠性。
21、根据本技术实施方式的芯片封装方法及芯片封装结构，通过采用玻璃基板制作围堰和保护盖板或直接采用玻璃基板制作一体化的围堰和保护盖板，实现超薄封装的同时，因玻璃的围堰的热膨胀系数(cte)同芯片更接近，又能减少整个封装结构的翘曲，从而提升超薄芯片封装结构的可靠性。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述透明基板的厚度为200μm-400μm；所述凹槽的深度为80μm-160μm。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述透明基板选自玻璃基板。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片还包括：位于所述功能区外的焊垫；
5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的第三表面上形成有贯通至所述焊垫的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；
6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属层与所述通孔的内壁以及所述芯片的第三表面之间设置有绝缘层。
7.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片还包括：阻焊层，所述阻焊层覆盖所述金属层设置，所述阻焊层上设置有开口，所述开口暴露出部分所述金属层。
8.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述外接凸起设置于所述开口内的金属层上。
9.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
10.如权利要求9
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述透明基板的厚度为200μm-400μm；所述凹槽的深度为80μm-160μm。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述透明基板选自玻璃基板。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片还包括：位于所述功能区外的焊垫；
5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的第三表面上形成有贯通至所述焊垫的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；
6.如权利要求5所述的芯片封装结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓东，谢国梁，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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