封装基板及其制作方法技术

一种封装基板及其制作方法，包括：具有多个导电穿孔的中介层、形成于该中介层一侧上的感旋光性介电层、以及形成于该感旋光性介电层中且电性连接该导电穿孔的导电盲孔。借由黄光开孔工艺的对准度佳的特性，而于该感旋光性介电层上形成孔径极小的盲孔时仍能有效对准该导电穿孔，所以该导电穿孔的孔径可缩小至所需尺寸，而不受盲孔的对位限制，因而提高该导电穿孔于该中介层上的布设密度。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及其制作方法
本专利技术有关于一种封装基板，尤指一种埋设中介层的封装基板及其制作方法。
技术介绍
随着电子产品更趋于轻薄短小及功能不断提升的需求，芯片的布线密度愈来愈高，并以奈米尺寸作单位，因而芯片上的各该接点之间的间距极小。然而，目前覆晶式封装基板的电性接点的间距以微米尺寸作单位，所以无法有效缩小至对应该芯片接点的间距的大小，导致虽有高线路密度的半导体芯片，却未有可配合的封装基板，以致于无法有效生产电子产品。为克服上述的问题，于封装基板与半导体芯片之间增设一硅中介板(Siliconinterposer)，且于该硅中介板中以电镀金属的方式形成导电硅穿孔（Through-siliconvia,TSV），再于其上形成线路重布层（Redistributionlayer,RDL），令该硅中介板的一侧借由该导电硅穿孔的端部结合导电凸块以电性结合间距较大的封装基板的接点，而该硅中介板的另一侧借由该线路重布层最上层的电性连接垫以结合间距较小的芯片的接点。借此，使封装基板可结合具有高布线密度接点的芯片。然而，因该硅中介板以该些导电凸块设于该封装基板上会增加整体结构的高度，所以遂发展出嵌埋硅中介板于该封装基板中的技术，以降低整体结构的高度。如图1所示，一硅中介层10具有多个导电硅穿孔（TSV）100及线路重布层（RDL）11，且一模封层12包覆该硅中介层10，而一线路增层结构15设于该硅中介层10与该模封层12上，该线路增层结构15包含至少一介电层13、设于该介电层13上的线路层14、及设于该介电层13中且电性连接线路层14与该导电硅穿孔100的导电盲孔140，又一绝缘保护层16形成于该线路增层结构15上，且形成有多个开孔160，以外露该线路增层结构15的电性接触垫153。借由该导电盲孔140取代导电凸块，使该硅中介层10能嵌埋于封装基板1中，以供承载芯片之用。目前于该导电硅穿孔100的制作中，会形成一绝缘层101于该导电硅穿孔100的侧壁上，且该绝缘层101的材质普遍使用SiNX、聚合物、高温炉或化学气相沉积（CVD）产生的SiO2。此外，于制作该导电盲孔140时，如图1’所示，会先于介电层13上以激光方式形成盲孔130，再于该盲孔130中形成导电材，以成为导电盲孔140。于现有工艺技术中，激光所形成的盲孔130的直径d为50um，且激光开孔的对位准确度为+/-15um（也就是盲孔130的位置偏移值为30um），所以该导电硅穿孔100的端面直径r需大于80um，才能善用低成本的PCB工艺，且利于该盲孔130完全位于该导电硅穿孔100的端面上方。然而，因该导电硅穿孔100的孔径过大，致使该硅中介层10的导电硅穿孔100的布设密度难以提高。此外，为了提高布设密度及降低成本，若使该导电硅穿孔100’的端面直径r’小于50um，则激光开孔将难以对位，也就是该盲孔130的位置无法完全位于该导电硅穿孔100’的端面上方，如图1”所示，导致该导电盲孔140接触该硅中介层10的硅材，而与该导电硅穿孔100的电性连接不良。因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
本揭露的主要目的在于提供一种封装基板及其制作方法，可提高该导电穿孔于该中介层上的布设密度。本揭露的一实施例提供一种嵌埋有中介层的封装基板，借由黄光开孔工艺取代现有激光开孔工艺，而黄光开孔所形成的孔径（盲孔的直径）可小于激光开孔所能形成的孔径，且光掩膜曝光（即形成盲孔）的对准度也低于激光开孔的对准度，所以导电穿孔的孔径可小于50um。其中，该中介层含有硅材。其中，该线路重布层的最外层具有多个电极垫。其中，该导电穿孔的外侧壁上具有绝缘层。其中，该封装基板还包括线路层，其形成于该感旋光性介电层上，且电性连接该些导电盲孔。其中，该线路层嵌埋于该感旋光性介电层中。其中，该封装基板还包括线路增层结构，其形成于该感旋光性介电层与该线路层上。其中，该封装基板还包括绝缘保护层，其形成于该线路增层结构上，且该绝缘保护层具有多个开孔，以外露该线路增层结构的部份线路，以供作为电性接触垫。其中，该封装基板还包括模封层，其包覆该中介层。其中，该线路重布层外露出该模封层。另外，本专利技术还提出一种封装基板的制作方法，包括：提供一中介层，其具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与该第二侧的多个导电穿孔，且该中介层的第一侧上形成有电性连接该导电穿孔的线路重布层；于该中介层的该第二侧上形成感旋光性介电层；于该感旋光性介电层上形成多个盲孔，令该导电穿孔外露于该盲孔；以及于该些盲孔中形成导电盲孔，以电性连接该导电穿孔。其中，该中介层含有硅材。其中，该线路重布层的最外层具有多个电极垫，以接置芯片。其中，该导电穿孔的外侧壁上具有绝缘层。其中，该感旋光性介电层借由黄光开孔工艺形成该些盲孔。其中，该方法还包括于该感旋光性介电层上形成线路层，且电性连接该些导电盲孔。其中，该方法还包括于该感旋光性介电层与该线路层上形成线路增层结构。其中，该方法还包括于该线路增层结构上形成绝缘保护层，且该绝缘保护层具有多个开孔，以外露该线路增层结构的部份线路，以供作为电性接触垫。其中，该方法还包括于形成该感旋光性介电层之前，形成一模封层包覆该中介层，使该中介层嵌埋于该模封层中。其中，该线路重布层外露出该模封层。因此，借由黄光开孔工艺的应用，使该导电穿孔的孔径可大幅缩小而不受盲孔的对位限制，不仅可提高该导电穿孔于该中介层上的布设密度，且可减少该导电穿孔中的导电材使用量，以降低生产成本、提高生产速率、减少材料应力作用及增加可靠度。此外，借由提高盲孔的对准度，使该盲孔的位置可完全位于该导电穿孔的端面上方，而可避免该导电盲孔接触该中介层的硅材，因而有效提升该导电盲孔与该导电穿孔的电性连接品质。又，缩小盲孔的孔径，也可减少盲孔端面于该封装基板上所占的面积，因而增加更多的布线空间，所以能提升该封装基板上的布线密度。附图说明图1为现有嵌埋有硅中介层的封装基板的剖面示意图；其中，图1’及图1”为图1的局部放大图；图2及图2’为本专利技术封装基板的不同实施例的剖面示意图；图3A至图3F为本专利技术封装基板的制作方法的剖面示意图；其中，图3C’为图3C的局部放大图，图3F’为图3F的另一实施例；以及图3G为后续应用本专利技术封装基板的工艺的剖面示意图。其中，附图标记：1,2,2’：封装基板10：硅中介层100,100’：导电硅穿孔101,201：绝缘层11,21：线路重布层12,22：模封层13,250：介电层130,230：盲孔14,24,24’,251：线路层140,240,252：导电盲孔15,25：线路增层结构153,253：电性接触垫16,26：绝缘保护层160,260：开孔20：中介层20a：第一侧20b：第二侧200：导电穿孔210：电极垫23：感旋光性介电层3：半导体芯片30：导电凸块或导电柱4：焊球D,R,d,r,r’：直径L：切割线。具体实施方式以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板，其包括：中介层，其具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与该第二侧的多个导电穿孔，该第一侧上形成有电性连接该导电穿孔的线路重布层；感旋光性介电层，其形成于该中介层的该第二侧上；以及多个导电盲孔，其形成于该感旋光性介电层中，以电性连接该导电穿孔。

【技术特征摘要】
2012.10.11 TW 1011374061.一种封装基板，其包括：中介层，其具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与该第二侧的多个导电穿孔，该第一侧上形成有电性连接该导电穿孔的线路重布层，各该多个导电穿孔具有彼此相对的第一端与第二端，且该第一端与该第二端分别切齐于该中介层的该第一侧与该第二侧；感旋光性介电层，其形成于该中介层的该第二侧上，且该感旋光性介电层的材质为感旋光性聚酰亚胺，该感旋光性介电层直接接触各该多个导电穿孔的该第二端；以及多个导电盲孔，其形成于该感旋光性介电层中，以电性连接该导电穿孔。2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该中介层含有硅材。3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该线路重布层的最外层具有多个电极垫。4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该导电穿孔的外侧壁上具有绝缘层。5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括线路层，其形成于该感旋光性介电层上，且电性连接该些导电盲孔。6.根据权利要求5所述的封装基板，其特征在于，该线路层嵌埋于该感旋光性介电层中。7.根据权利要求5所述的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括线路增层结构，其形成于该感旋光性介电层与该线路层上。8.根据权利要求7所述的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括绝缘保护层，其形成于该线路增层结构上，且该绝缘保护层具有多个开孔，以外露该线路增层结构的部份线路，以供作为电性接触垫。9.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括模封层，其包覆该中介层。10.根据权利要求9所述的封装基板，其特征在于，该线路重布层外露出该模封层。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈裕华，骆韦仲，胡迪群，谢昌宏，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院， 欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71