一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备及镀膜方法技术

本发明专利技术涉及一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备，包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统，所述基片架系统位于所述真空腔室内部，所述基片架系统，包含多个可翻转的单根立柱；所述镀膜沉积系统，包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。通过位于真空腔体的内壁上的溅射阴极对基片进行AR膜镀制，单根立柱将镀完增透膜的基片翻转到内侧通过蒸发源对基片进行AF膜的镀制，达到制作过程时间短，无需在AR制作完成后换一台镀膜机进行AF制作，提高了批量化制作时的良率以及产能的效果，且表面不易被污染。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备，包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统，所述基片架系统位于所述真空腔室内部，所述基片架系统，包含多个可翻转的单根立柱；所述镀膜沉积系统，包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。通过位于真空腔体的内壁上的溅射阴极对基片进行AR膜镀制，单根立柱将镀完增透膜的基片翻转到内侧通过蒸发源对基片进行AF膜的镀制，达到制作过程时间短，无需在AR制作完成后换一台镀膜机进行AF制作，提高了批量化制作时的良率以及产能的效果，且表面不易被污染。【专利说明】—种AR膜和AF膜同炉镀膜设备及镀膜方法
本专利技术涉及镀膜
，尤其是涉及一种同炉镀制AR膜和AF膜的设备及镀膜方法。
技术介绍
目前，消费类电子产品的屏幕基本需要在屏幕表面镀制AR膜和AF膜，其中，AR膜是Ant1-Reflect的缩写，也称增透膜,减反膜；AF膜是Ant1-Fingerprint的缩写是防指纹膜。在光学仪器中，光学元件表面的反射，不仅影响光学元件的通光能量，而且这些反射光还会在仪器中形成杂散光，影响光学仪器的成像质量，为了解决这些问题，通常在光学元件的表面镀上一定厚度的单层或多层AR膜，目的是为了减小元件表面的反射光。常用的AR膜，并没有使透射光的光强达到最大，也就是说没有使反射光达到最弱，主要是要增透的光往往不是单色的，而是有一定的频宽，而对于一个增透膜只对某一波长的单色光有完全增透的作用。因此可以通过多层镀膜技术来改善增透效果，同时也增加了透射光的线宽，也就是频宽。因此，AR膜一般的镀膜方法是使用高低两种折射率交替镀膜，往往层数越多，对每一层膜厚控制要求越高。这种AR膜系通过真空蒸发镀膜可以实现。为了保证每个基片表面的薄膜厚度一致，基本上都需要保持膜料与基片之间距离一致，这样就形成蒸发镀膜时基片都是放置在镀膜机内腔上方的一个类似伞状的基片架上。同样的原理，基片的尺寸如果太大(不论长宽)，也会导致膜层厚度的不一致，所以对于同一台镀膜机，基片尺寸基本都是有限制的。基本上AF膜就只是一层薄膜，`通过专用的AF膜料来制作，制作原理同上述内容，AF膜属于功能类薄膜，对厚度一致性要求并不高，但对水滴角及耐刮要求则很严格。目前的制作方法基本都是采用AR制作完成后换一台镀膜机再进行AF制作，这样的制作会导致中间过程时间长，表面易污染，会带来批量化制作时良率下降以及产能降低等问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备，克服传统制作过程时间长，表面易污染，导致批量化制作时良率下降以及产能降低等的缺陷。本专利技术要解决的另一个技术问题在于:提供一种AR膜和AF膜同炉镀膜的方法，该方法制备AR膜膜层一致，镀膜效果好，适用于批量化生产。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备，包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统，所述基片架系统位于所述真空腔室内部，所述基片架系统，包含多个可翻转的单根立柱；所述镀膜沉积系统，包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。本专利技术的更进一步优选方案是:所述单根立柱上设置有磁性限位块及磁性可动块。本专利技术的更进一步优选方案是:所述真空腔室顶部设置有带动所述单根立柱翻转的运动机构。本专利技术的更进一步优选方案是:所述运动机构包括可伸缩的翻转支柱，以及翻转块和保护头，所述翻转块和所述保护块是采用铰链单边链接。本专利技术的更进一步优选方案是:所述基片架系统整体呈圆桶状，所述多个单根立柱彼此平行排列构成圆桶状表面。本专利技术的更进一步优选方案是:所述基片架系统还包括基片架底圈及用于装卸和方便所述单根立柱转动的上下圆环。本专利技术的更进一步优选方案是:所述设备还包括基片转动计数系统，该基片转动计数系统包括光纤探头和计数孔，所述计数孔开设于基片架底圈上。本专利技术的更进一步优选方案是:所述光纤探头位于真空腔体底部并与基片架底圈上的计数孔相适应的位置。本专利技术的 更进一步优选方案是:所述真空腔室还包括真空室门，该真空室门至少为两扇。本专利技术的更进一步优选方案是:所述离子源和所述溅射阴极均设有可移动的挡板系统，所述蒸发源设有固定机构。 本专利技术的更进一步优选方案是:所述挡板系统包括提供动力的电机、传递动力的轴、齿轮及挡板。本专利技术的更进一步优选方案是:所述挡板上设置有挡板槽，该挡板槽与所述齿轮相(?合。本专利技术的更进一步优选方案是:所述设备还包括对基片及基片架进行加热的加热系统，所述加热系统位于真空腔体的内壁上。本专利技术的更进一步优选方案是:所述基片架系统还包括一驱动其自身转动驱动装置。一种AR膜和AF膜的同炉镀膜方法，包括以下步骤:Α、将待镀膜的基片装载到基片架上，放入上述镀膜设备；B、开启尚子源，锻制AR月旲；C、完成AR镀膜后，基片架上所有单个立柱进行翻转180°至基片架内侧开启蒸发源，在基片架内侧的基片上镀制AF膜。本专利技术的更进一步优选方案是:所述基片架的转速为1.0 — 8.5m/min。本专利技术的更进一步优选方案是:所述的基片架上设置有对基片旋转进行计数的基片转动计数系统。本专利技术的更进一步优选方案是:所述步骤B前还包括步骤:对基片进行离子清洗，所述离子清洗前后都包括，将所述真空腔室抽至本地真空。本专利技术的更进一步优选方案是:所述步骤B还包括步骤:完成AF镀膜后，对设备进行冷却处理，并充入氮气进行防氧化保护，冷却后对通入大气使炉内外气压一致，再打开真空室门。本专利技术的有益效果在于，现有技术是真空蒸发镀制AR膜产品只能在伞状基片架上，无法提高产量，而本专利技术将磁控溅射是一个圆桶面，如果相同直径下，磁控溅射镀膜的产量要比蒸发镀膜的产量高很多；通过位于真空腔体的内壁上的至少一对溅射阴极对基片进行AR膜镀制，可以实现AR膜的批量镀制，AR膜镀制完成后依次将所有单根立柱翻转到内侧通过蒸发源对基片进行AF膜的镀制，达到制作过程时间短，无需在AR制作完成后换一台镀膜机进行AF制作，提高了批量化制作时的良率以及产能的效果，且表面不易被污染。【专利附图】【附图说明】下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中:图1是本专利技术实施例的一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备的平面结构示意图；图2是本专利技术实施例的一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备的离子源挡板系统结构示意图；图3是本专利技术实施例的一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备的基片架系统局部放大示意图；图4是本专利技术实施例的一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备的基片架转动计数系统局部放大示意图；图5是AR膜不同厚度时反射率曲线图；图6是AR膜不同厚度时反射率曲线图；图7是AR膜不同厚度时透射率曲线图；图8是AR膜不同厚度时透射率曲线图；【具体实施方式】现结合附图，对本专利技术的较佳实施例作详细说明。如图1、图2所示，提供一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备，包括真空腔室1、基片架系统2和镀膜沉积系统，该基片架系统2整体呈圆桶状，还包含多个可翻转的单根立柱21，所述多个单根立柱彼此平行排列构成圆桶状表面，所述基片架系统2位于所述真空腔室I的内部，包括一驱动其自身转动驱动装置，该动驱动装置驱动其绕圆桶面中心轴转动，保证任一基片经过靶材处镀膜时与靶材的距离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备，包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统，所述基片架系统位于所述真空腔室内部，其特征在于：所述基片架系统，包含多个可翻转的单根立柱；所述镀膜沉积系统，包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋光耀，范文明，檀晓兵，
申请(专利权)人：昂纳信息技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：