一种多芯光纤扇入扇出器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯光纤扇入扇出器件及其制作方法，多芯光纤扇入扇出器件制作方法包括步骤：腐蚀光纤：剥除多芯光纤和单芯光纤的外包层，采用腐蚀溶液腐蚀多芯光纤和单芯光纤的内包层，以减小多芯光纤和单芯光纤的外径；制作单芯光纤集束：至少两根单芯光纤采用毛细管做多芯排列和穿芯，将多根单芯光纤固定在毛细管中得到单芯光纤集束；端面研磨抛光：对单芯光纤集束的端面进行研磨抛光；熔接：将多芯光纤和单芯光纤束的纤芯对位并熔接；封装：对熔接后的多芯光纤和单芯光纤束进行封装，得到多芯光纤扇入扇出器件。本发明专利技术的多芯光纤扇入扇出器件制作方法能够实现批量制成，成本上更低，降低对准的精度和难度。降低对准的精度和难度。降低对准的精度和难度。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯光纤扇入扇出器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及多芯光纤扇入扇出器件
，尤其涉及一种多芯光纤扇入扇出器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着光通信网络的不断扩大，传统单模光纤系统容量已经接近极限，进一步提高光传输介质容量成为迫切需求。基于多芯光纤的空分复用技术因为对空间维度的利用，为传输容量带来成倍的增长，而受到了广泛关注。
[0003]多芯光纤通信系统需要与现有的单芯光纤通信系统兼容，这就需要将多芯光纤和单芯光纤之间建立连接，制备多芯光纤与标准单芯光纤连接的扇入扇出器件对多芯光纤通信至关重要。目前现有的多芯光纤扇入扇出器件的制备方法有聚合物波导法、自由空间光学法和集束拉锥法。
[0004]集束拉锥法是将多根单芯光纤进行拉锥，使其拉锥后光纤端面与多芯光纤精准对接，实现多芯到单芯的光场耦合，这种空分复用/解复用器加工技术复杂，光纤匹配难，对准精度难控制。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种多芯光纤扇入扇出器件及其制作方法，制作简单，光纤匹配容易，对准精度容易控制。
[0006]本专利技术公开了一种多芯光纤扇入扇出器件制作方法，包括步骤：
[0007]腐蚀光纤：剥除多芯光纤和单芯光纤的外包层，采用腐蚀溶液腐蚀多芯光纤和单芯光纤的内包层，以减小多芯光纤和单芯光纤的外径；
[0008]制作单芯光纤集束：至少两根单芯光纤采用毛细管做多芯排列和穿芯，将多根单芯光纤固定在毛细管中得到单芯光纤集束；
[0009]端面研磨抛光：对单芯光纤集束的端面进行研磨抛光；
[0010]熔接：将多芯光纤和单芯光纤束的纤芯对位并熔接；
[0011]封装：对熔接后的多芯光纤和单芯光纤束进行封装，得到多芯光纤扇入扇出器件。
[0012]可选地，腐蚀光纤的步骤还包括步骤：
[0013]重度腐蚀多芯光纤的端部，形成多芯重度腐蚀区；轻度腐蚀与多芯重度腐蚀区相邻的多芯光纤区域，形成多芯腐蚀渐变区；
[0014]其中，多芯重度腐蚀区的腐蚀程度大于多芯腐蚀渐变区的腐蚀程度，以使多芯重度腐蚀区的外径小于多芯腐蚀渐变区的外径。
[0015]可选地，腐蚀光纤的步骤还包括步骤：
[0016]重度腐蚀单芯光纤的端部，形成单芯重度腐蚀区；轻度腐蚀与单芯重度腐蚀区相邻的单芯光纤区域，形成单芯腐蚀渐变区；
[0017]其中，单芯重度腐蚀区的腐蚀程度大于单芯腐蚀渐变区的腐蚀程度，以使单芯重
度腐蚀区的外径小于单芯腐蚀渐变区的外径。
[0018]可选地，腐蚀光纤的步骤还包括步骤：
[0019]自靠近多芯重度腐蚀区的一端至远离多芯重度腐蚀区的一端，对多芯腐蚀渐变区进行由重到轻的腐蚀，以使多芯腐蚀渐变区的外径自靠近多芯重度腐蚀区的一端至远离多芯重度腐蚀区的一端逐渐变大。
[0020]可选地，腐蚀光纤的步骤还包括步骤：
[0021]自靠近单芯重度腐蚀区的一端至远离单芯重度腐蚀区的一端，对单芯腐蚀渐变区进行由重到轻的腐蚀，以使单芯腐蚀渐变区的外径自靠近单芯重度腐蚀区的一端至远离单芯重度腐蚀区的一端逐渐变大。
[0022]可选地，多芯重度腐蚀区外径为纤芯间距的两倍，公差为
±
0.0005μm；多芯重度腐蚀区的长度为15～20mm；和/或
[0023]单芯重度腐蚀区外径为纤芯间距的一倍，公差为
±
0.0005μm；多芯重度腐蚀区的长度为15～20mm。
[0024]可选地，多芯腐蚀渐变区的外径为多芯光纤内包层区和多芯重度腐蚀区的外径之差的两到三倍；和/或
[0025]单芯腐蚀渐变区的外径为单芯光纤内包层区和单芯重度腐蚀区的外径之差的两到三倍。
[0026]可选地，封装还包括步骤：
[0027]对熔接后的多芯光纤和单芯光纤束的熔接点涂覆进行光纤涂覆；
[0028]将熔接后的多芯光纤和单芯光纤束置入保护管；
[0029]保护管内填充填充物，两端补封密封物，得到多芯光纤扇入扇出器件。
[0030]本专利技术还公开了一种多芯光纤扇入扇出器件，通过如上述的多芯光纤扇入扇出器件制作方法制作。
[0031]可选地，包括多芯光纤、至少两根单芯光纤、保护管、填充物和密封物；多芯光纤和单芯光纤一端置入于保护管内，多芯光纤和单芯光纤纤芯连接，填充物填充于保护管内，密封物密封于保护管的两端；
[0032]其中，多芯光纤与单芯光纤连接的一端具有多芯重度腐蚀区以及与多芯重度腐蚀区相邻的多芯腐蚀渐变区；单芯光纤与多芯光纤连接的一端具有单芯重度腐蚀区以及与单芯重度腐蚀区相邻的单芯腐蚀渐变区。
[0033]本专利技术的多芯光纤扇入扇出器件制作方法在腐蚀光纤步骤中通过对光纤腐蚀，减小多芯光纤和单芯光纤的外径，降低多芯光纤和单芯光纤之间的芯径差异，便于后续的熔接。同时，光纤腐蚀减小单芯光纤并排时光纤自身的轴心的弯角和挤压，降低对损耗的影响；减小多芯光纤固定带来应力差异大的问题，减小对损耗影响。在制作单芯光纤集束步骤中采用毛细管的标准限位实现单芯光纤的批量限位和排布，且可以降低微细的单芯光纤端面的研磨抛光工艺难度，实现批量制成，成本上更低，降低对准的精度和难度。
附图说明
[0034]所包括的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本专利技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本专利技术的原理。显而易见地，下
面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0035]图1是本专利技术实施例多芯光纤扇入扇出器件的示意图。
[0036]其中，1、多芯光纤；11、多芯重度腐蚀区；12、多芯腐蚀渐变区；2、单芯光纤；21、单芯重度腐蚀区；22、单芯腐蚀渐变区；3、保护管；4、填充物；5、密封物。
具体实施方式
[0037]需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本专利技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
[0038]下面参考附图和可选的实施例对本专利技术作详细说明。
[0039]作为本专利技术的一实施例，公开了一种多芯光纤1扇入扇出器件制作方法，包括步骤：
[0040]腐蚀光纤：剥除多芯光纤1和单芯光纤2的外包层，采用腐蚀溶液腐蚀多芯光纤1和单芯光纤2的内包层，以减小多芯光纤1和单芯光纤2的外径；
[0041]制作单芯光纤2集束：至少两根单芯光纤2采用毛细管做多芯排列和穿芯，将多根单芯光纤2固定在毛细管中得到单芯光纤2集束；
[0042]端面研磨抛光：对单芯光纤2集束的端面进行研磨抛光；
[0043]熔接：将多芯光纤1和单芯光纤2束的纤芯对位并熔接；
[0044]封装：对熔接后的多芯光纤1和单芯光纤2束进行封装，得到多芯光纤1扇入扇出器件。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯光纤扇入扇出器件制作方法，其特征在于，包括步骤：腐蚀光纤：剥除多芯光纤和单芯光纤的外包层，采用腐蚀溶液腐蚀多芯光纤和单芯光纤的内包层，以减小多芯光纤和单芯光纤的外径；制作单芯光纤集束：至少两根单芯光纤采用毛细管做多芯排列和穿芯，将多根单芯光纤固定在毛细管中得到单芯光纤集束；端面研磨抛光：对单芯光纤集束的端面进行研磨抛光；熔接：将多芯光纤和单芯光纤束的纤芯对位并熔接；封装：对熔接后的多芯光纤和单芯光纤束进行封装，得到多芯光纤扇入扇出器件。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀光纤的步骤还包括步骤：重度腐蚀多芯光纤的端部，形成多芯重度腐蚀区；轻度腐蚀与多芯重度腐蚀区相邻的多芯光纤区域，形成多芯腐蚀渐变区；其中，多芯重度腐蚀区的腐蚀程度大于多芯腐蚀渐变区的腐蚀程度，以使多芯重度腐蚀区的外径小于多芯腐蚀渐变区的外径。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀光纤的步骤还包括步骤：重度腐蚀单芯光纤的端部，形成单芯重度腐蚀区；轻度腐蚀与单芯重度腐蚀区相邻的单芯光纤区域，形成单芯腐蚀渐变区；其中，单芯重度腐蚀区的腐蚀程度大于单芯腐蚀渐变区的腐蚀程度，以使单芯重度腐蚀区的外径小于单芯腐蚀渐变区的外径。4.如权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀光纤的步骤还包括步骤：自靠近多芯重度腐蚀区的一端至远离多芯重度腐蚀区的一端，对多芯腐蚀渐变区进行由重到轻的腐蚀，以使多芯腐蚀渐变区的外径自靠近多芯重度腐蚀区的一端至远离多芯重度腐蚀区的一端逐渐变大。5.如权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀光纤的步骤还包括步骤：自靠近单芯重度腐蚀区的一端至远离单芯重度腐蚀区的一端，对单芯腐蚀渐变区进行由重到轻的腐蚀，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐杰，绪海波，方洋，
申请(专利权)人：昂纳信息技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：