半导体薄膜结构以及其形成方法技术

揭露一种形成半导体薄膜结构的方法以及使用所述方法所形成的半导体薄膜结构。为了避免基底与半导体氮化物之间晶格常数以及热膨胀系数不同造成的应力，以及所造成的基底的翘曲，所述方法包括在基底上方形成牺牲层，接着经由各种方法使其图案化。在牺牲层上方形成无机薄膜，接着选择性移除牺牲层，以形成由基底与基底上的无机薄膜所定义的空腔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种半导体薄膜，且特别在于一种氮化镓(GaN)或氮化物与镓(Ga)以外的金属混合所形成的半导体薄膜以及其形成方法。本专利技术亦是关于一种具有所述半导体薄膜的电子或光电子元件以及其形成方法。本专利技术的
，广义来说，可定义为用于将高品质的氮化物半导体薄膜形成在基底上方的。
技术介绍
具有周期表中III至V族元素的氮化物半导体，早在电子或光电元件的领域中占有一席之地，未来将更具有举足轻重的地位。氮化物半导体的应用领域实际涵盖相当广的范围，举凡激光二极管一直到可在高温与高频率下操作的晶体管。另外，其应用领域还包括紫外线光检测器、弹性表面波装置以及发光二极管(LED )。举例来说，氮化镓(GaN)是广为人知适用在蓝光LED或高温晶体管上的材料，然而其应用不仅限于此。对于氮化镓在微电子元件上的应用，亦有过广泛的研讨。当氮化镓内含于氮化镓合金(例如氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)以及氮化铝铟镓(AlInGaN)等)时，氮化镓亦被广泛采用，对此下文将另有说明。在使用氮化物半导体(例如氮化镓)的元件中，异质基底(例如蓝宝石、碳化硅(SiC)或硅)常用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体薄膜结构，其特征在于其包括：基底；以及无机薄膜，形成在所述基底上，用以在所述基底与所述无机薄膜间定义多个空腔，以使各自分离的所述空腔具有受控的形状、大小以及二维配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.20 KR 10-2011-00476921.一种半导体薄膜结构，其特征在于其包括: 基底；以及 无机薄膜，形成在所述基底上，用以在所述基底与所述无机薄膜间定义多个空腔，以使各自分离的所述空腔具有受控的形状、大小以及二维配置。2.如权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征在于还包括形成在所述基底上方的氮化物半导体薄膜。3.如权利要求2所述的半导体薄膜结构，其特征在于其中所述氮化物半导体薄膜具有至少两层膜的结构。4.如权利要求3所述的半导体薄膜结构，其特征在于其还包括另一层无机薄膜，其形成于所述至少两层膜间，用以在所述至少两层膜间定义多个其他空腔，使各自分离的所述其他空腔具有受控的形状、大小以及二维配置。5.如权利要求2所述的半导体薄膜结构，其特征在于其中所述基底的热膨胀系数大于所述氮化物半导体薄膜的热膨胀系数，以及所述空腔借由所述氮化物半导体薄膜往表面方向压缩。6.如权利要求2所述的半导体薄膜结构，其特征在于其中所述基底的热膨胀系数小于所述氮化物半导体薄膜的热膨胀系数，以及所述空腔借由所述氮化物半导体薄膜往表面方向拉伸。7.如权利要求1或2所述的半导体薄膜结构，其特征在于其中所述空腔在所述基底上一致地定义成相同的图案。8.如权利要求1或2所述的半导体薄膜结构，其特征在于其中所述空腔在所述基底上局部地定义成不同的图案。9.一种形成半导体薄膜结构的方法，其特征在于其包括: 在基底上形成牺牲层图案； 在所述牺牲层图案上形成无机薄膜；以及 从上方已形成有所述无机薄膜的所述基底移除所述牺牲层图案，以形成由所述基底与所述无机薄膜所定义且各自分离的多个空腔。10.如权利要求9所述的形成半导体薄膜结构的方法，其特征在于其还包括在所述基底上方形成氮化物半导体薄膜。11.如权利要求10所述的形成半导体薄膜结构的方法，其特征在于其中形成所述氮化物半导体薄膜的方法是使用所述基底中不具有所述空腔的部分作为籽晶，经由外延侧向成长法来进行。12.如权利要求11所述的形成半导体薄膜结构的方法，其特征在于其中所述无机薄膜的材料与所述基底的材料不同；以及 还包括将所述无机薄膜图案化，以暴露出所述基底中不具有所述空腔的所述部分。13.如权利要求10所述的形成半导体薄膜结构的方法，其特征在于其中所述基底的热膨胀系数大于所述氮化物半导体薄膜的热膨胀系数，以及所述空腔借由所述氮化物半导体薄膜往表面方向压缩，以减少所述基底在所述氮化物半导体薄膜形成后进行冷却时所造成的翘曲。14.如权利要求10所述的形成半导体薄膜结构的方法，其特征在于其中所述基底的热膨胀系数小于所述氮化物半导体薄膜的热膨胀系数，以及所述空腔借由所述氮化物半导体薄膜往表面方向拉伸，以减少所述基底在所述氮化物半导体薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹义埈，河信雨，
申请(专利权)人：财团法人首尔大学校产学协力团，
类型：
国别省市：