半导体装置的制造方法制造方法及图纸

形成在硅衬底（3）上隔着硅氧化膜（4）而设置有硅层（5）的SOI衬底（6）。然后，在硅层（5）的表面形成多个半导体元件（8）。然后，在绝缘性衬底（10）的表面形成配线（11）。然后，使SOI衬底（6）和绝缘性衬底（10）贴合，以将多个半导体元件（8）和配线（11）连接。然后，向硅衬底（3）注入氢离子和惰性气体离子中的至少一种而形成脆化层（12）。然后，以脆化层（12）为边界将硅衬底（3）的一部分剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用SOI (Silicon On Insulator)衬底的。
技术介绍
在LSI领域，作为高性能器件用晶圆，已知将2片晶圆贴合而成的SOI衬底。在形成该SOI衬底的现有方法中，首先，在经过镜面研磨的2片晶圆的至少一个上形成硅氧化膜。然后，隔着硅氧化膜使2片晶圆紧密接触后进行热处理而提高结合强度。然后，对形成元件一方的晶圆进行磨削，并进行镜面研磨而薄膜化至达到期望的厚度。由此，形成具有硅氧化膜(BOX层)的SOI衬底。近年来，已知一种被称为智切法(Smart cut)(注册商标)的SOI衬底的形成方法。在该方法中，首先，在经过镜面研磨的2片晶圆的至少一个上形成硅氧化膜。然后，向形成元件一方的晶圆注入氢离子而形成脆化层。然后，隔着硅氧化膜使2片晶圆紧密接触后进行热处理而提高结合强度。然后，以脆化层为边界而将晶圆的一部分剥离。然后，对晶圆的表面进行研磨。由此,形成SOI衬底。该方法与以往的方法相比，能够降低工艺温度和制造成本。并且，通过调整氢离子的注入深度，能够自由调整形成在硅氧化膜上的硅层的厚度。另外，提出了一种使硅衬底与绝缘性衬底贴合的半导体装置(例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：形成在硅衬底上隔着硅氧化膜而设置有硅层的SOI衬底的工序：在所述硅层的表面形成多个半导体元件的工序；在绝缘性衬底的表面形成配线的工序；使所述SOI衬底和所述绝缘性衬底贴合，以将所述多个半导体元件和所述配线连接的工序；在使所述SOI衬底和所述绝缘性衬底贴合后，向所述硅衬底注入氢离子和惰性气体离子中的至少一种而形成脆化层的工序；以及以所述脆化层为边界将所述硅衬底的一部分剥离的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序: 形成在硅衬底上隔着硅氧化膜而设置有硅层的SOI衬底的工序: 在所述硅层的表面形成多个半导体元件的工序； 在绝缘性衬底的表面形成配线的工序； 使所述SOI衬底和所述绝缘性衬底贴合，以将所述多个半导体元件和所述配线连接的工序； 在使所述SOI衬底和所述绝缘性衬底贴合后，向所述硅衬底注入氢离子和惰性气体离子中的至少一种而形成脆化层的工序；以及 以所述脆化层为边界将所述硅衬底的一部分剥离的工序。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村典嗣，冈田章，原田辰雄，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：