温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

形成在硅衬底（3）上隔着硅氧化膜（4）而设置有硅层（5）的SOI衬底（6）。然后，在硅层（5）的表面形成多个半导体元件（8）。然后，在绝缘性衬底（10）的表面形成配线（11）。然后，使SOI衬底（6）和绝缘性衬底（10）贴合，以将多个半导体...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。