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揭露一种形成半导体薄膜结构的方法以及使用所述方法所形成的半导体薄膜结构。为了避免基底与半导体氮化物之间晶格常数以及热膨胀系数不同造成的应力,以及所造成的基底的翘曲,所述方法包括在基底上方形成牺牲层,接着经由各种方法使其图案化。在牺牲层上方形...该专利属于财团法人首尔大学校产学协力团所有,仅供学习研究参考,未经过财团法人首尔大学校产学协力团授权不得商用。
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