氮化物薄膜结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法。如果是在并非氮化物的衬底上形成氮化物薄膜，那么会因衬底与氮化物薄膜之间的晶格常数差异而产生许多缺陷。而且，存在因衬底与氮化物薄膜之间的热膨胀系数差异引起衬底翘曲的问题。为了解决这些问题，本发明专利技术提出一种薄膜结构，其中在衬底上涂覆中空微粒（即，中空结构）之后，在所述衬底上生长氮化物薄膜，本发明专利技术还提出所述薄膜结构的形成方法。根据本发明专利技术，由于可通过中空结构获得外延横向过生长（ＥＬＯ）效应，因此可形成高质量氮化物薄膜。由于调整薄膜结构中的折射率，因此在将薄膜结构制造为例如发光二极管（ＬＥＤ）等发光装置时有提高光提取效率的效应。而且，当衬底的热膨胀系数大于氮化物薄膜的热膨胀系数时，因为氮化物薄膜中的中空结构压缩，氮化物薄膜的总应力减小，因而还有防止衬底翘曲的效应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由氮化镓(GaN)或镓与其它金属的混合氮化物组成的化合物半导体 层，以及形成所述化合物半导体层的方法。本专利技术还涉及包含化合物半导体层的电子或光 电子装置及其制造方法。本专利技术的
可广泛地界定为在衬底上形成高质量氮化物薄 膜的氮化物薄膜结构，以及形成所述氮化物薄膜结构的方法。
技术介绍
元素周期表中的第三族到第五族元素的氮化物半导体在电子和光电子装置领域 占据重要地位，而且这些领域未来将更加重要。氮化物半导体的应用领域实质上涵盖从激 光二极管(laser diode, LD)到可在高频和高温下操作的晶体管的较广范围。应用领域还 包含紫外线光检测器、表面声波装置和发光二极管(light emitting diode，LED)。举例来说，虽然已知氮化镓是适合施加于蓝LED和高温晶体管的材料，但正在广 泛地研究其在其它微电子装置中的应用。而且，如本文描述，可通过包含例如氮化铝镓 (AWaN)、氮化铟镓(InGaN)和氮化铝铟镓(AlInGaN)等氮化镓合金来广泛地使用氮化镓。氮化镓微电子装置制造中的一项重要技术是生长具有低缺陷密度的氮化镓薄 膜。已知产生缺陷密度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体薄膜结构，其特征在于其包括：衬底；多个中空结构，其涂覆于所述衬底上；以及氮化物薄膜，其形成于所述衬底上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹义埈，
申请(专利权)人：财团法人首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR