发光二极管元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过ＭＯＣＶＤ法使ＡｌＮ的ｃ轴取向膜生长之后，在ＡｌＮ层上形成ＧａＮ的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成ｎ型ＧａＮ包覆层，在ｎ型ＧａＮ包覆层上形成由ＩｎｘＧａ１－ｘＮ和ＧａＮ构成的多重量子阱层，在多重量子阱层上形成ｐ型ＧａＮ包覆层，在ｐ型ＧａＮ包覆层上形成ｐ型ＧａＮ接触层，相对于ＡｌＮ层在其上形成的低温生长缓冲层、ｎ型ＧａＮ包覆层、多重量子阱层、ｐ型ＧａＮ包覆层具有外延生长的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由氮化物半导体构成的发光二极管元件。
技术介绍
近年来，由以氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体构成的半导体元件的研究开发正在盛行。由包括氮化铝(AlN)、GaN、氮化铟QnN)以及它们的混合晶体(mixed crystal) 的氮化物半导体构成的半导体发光元件，通过控制其膜的组成，在从紫外或蓝色至红外线区域为止的范围广泛的波长区域中发光。作为其应用例，使用氮化物半导体的可见(光谱) 区发光二极管已经商品化(例如非专利文件1)。图13表示现有例涉及的由氮化物半导体构成的发光二极管元件的截面结构。如图13所示，现有的发光二极管元件，包括由GaN构成的低温生长缓冲层102、n型GaN包覆层103、由Inx^vxN构成的量子阱层104、由ρ型GaN构成的ρ型包覆层105和由ρ型GaN 构成的P型接触层106，它们在主面的面方位为(0001)面的蓝宝石基板101的主面上依次生长。在P型接触层106上形成有ρ侧电极107，在η型GaN层103的选择性露出的区域上形成有η侧电极108。根据该现有例，为了抑制由起因于晶格缺陷或穿透位错(threading dislocation)本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造发光二极管的方法，其特征在于：包括下述的工序（ａ）～工序（ｅ）：通过对石墨基板的表面进行氧灰化，在所述石墨基板的表面形成具有２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下的厚度的无定形碳层的工序（ａ）；在所述无定形碳层上通过ＭＯＣＶＤ（有机金属化学气相沉积法）形成ＡｌＮ层的工序（ｂ）；在所述ＡｌＮ层上形成由氮化物半导体构成的ｎ型包覆层的工序（ｃ）；在所述ｎ型包覆层上形成由氮化物半导体构成的量子阱层的工序（ｄ）；和在所述量子阱层上形成由氮化物半导体构成的ｐ型包覆层的工序（ｅ）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：长尾宣明，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP