下载发光二极管元件及其制造方法的技术资料

文档序号:7130209

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本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层,在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后,在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层,在低温生长缓冲层上形成n型GaN包覆层,在n型GaN包覆层上形成由InxG...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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