【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
传统上已知一种半导体发光元件，其利用通过施加电压至其中η型化合物半导体 层和P型化合物半导体层用插入其间的有源层结合的半导体发光元件，并且由此将在η型 化合物半导体层中所包括的电子与在P型化合物半导体层中所包括的空穴复合而产生的 光发射。作为半导体发光元件，例如，发光二极管(LED)元件可以从市场上获得。由于发光 二极管元件利用其中电子和空穴有效地复合的直接转变型半导体，所以它具有极高的发光 效率。因而，当前发光二极管元件被用于家用电子设备的显示器，道路上的交通信号的指 示，照明等等。用于上述显示和照明的白发光二极管设备通过结合蓝发光二极管元件和在黄区 中具有荧光波长的例如YAG(钇铝石榴石)的荧光体而被制造。这里，作为蓝发光二极管元件，氮化物半导体层的堆叠体被使用。氮化物半导体层 的堆叠体通常实际应用作为蓝发光二极管元件，蓝发光二极管元件具有其中η型GaN层、有 源层、和P型GaN层按顺序在蓝宝石衬底上堆叠的结构。由于蓝宝石衬底是绝缘体，所以进 行蚀刻以从P型GaN层到达至少η型GaN层，并且与η型GaN层欧姆接触的η型电极被提 ...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，包括：包括位错束集中区的ｎ型氮化物半导体衬底；和在所述ｎ型氮化物半导体衬底上的氮化物半导体堆叠体，具有按该顺序的ｎ型氮化物半导体层、有源层和ｐ型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光元件具有：在对应于所述位错束集中区的所述氮化物半导体堆叠体的区中的电介质区，提供与部分所述ｐ型氮化物半导体层和部分所述电介质区接触的ｐ型电极，和所述ｎ型氮化物半导体衬底的其上提供所述氮化物半导体堆叠体的侧相对的侧上提供的ｎ型电极。
【技术特征摘要】
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