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本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。该元件包括：包括位错束集中区的ｎ型氮化物半导体衬底；和在所述ｎ型氮化物半导体衬底上的氮化物半导体堆叠体，具有按以下顺序的ｎ型氮化物半导体层、有源层和ｐ型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光元...
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