快速以读代写的存储器纠错方法技术

本发明专利技术提供一种快速以读代写的存储器纠错方法，主要解决了现有以读代写的存储器纠错方法在处理存在数据屏蔽和不存在数据屏蔽两种不同的工作条件下响应时间差别较大，会对ECC的编码及写入过程造成影响的问题。该快速以读代写的存储器纠错方法，包括1.写使能信号被触发时，不判断是否存在数据屏蔽而直接触发读使能信号；2.若存在数据屏蔽，外部数据未被屏蔽的部分写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理等；该方法减少了tB的时间去进行数据准备，使得能够用于ECC编码的有效数据时间增大，减少了额外电路的使用，降低系统出错的几率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，主要解决了现有以读代写的存储器纠错方法在处理存在数据屏蔽和不存在数据屏蔽两种不同的工作条件下响应时间差别较大，会对ECC的编码及写入过程造成影响的问题。该，包括1.写使能信号被触发时，不判断是否存在数据屏蔽而直接触发读使能信号；2.若存在数据屏蔽，外部数据未被屏蔽的部分写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理等；该方法减少了tB的时间去进行数据准备，使得能够用于ECC编码的有效数据时间增大，减少了额外电路的使用，降低系统出错的几率。【专利说明】
本专利技术涉及一种存储器纠错方法，具体涉及一种。
技术介绍
ECC(Error Correction Code纠错码)被用来检测和纠正出错的数据。资料显示有很多种算法可支持ECC,例如最常用的汉明码(Hamming Code), 8位(bit)数据需要4位监督位(parity bit)，64位数据需要7位监督位。可通过数据长度以及所需要检测和纠正的位数选取合适的算法。对于不同的DDR结构(DDR1/2/3),典型的数据读取(streamin-and-out)预取数据长度有32位、64位以及1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速以读代写的存储器纠错方法，其特征在于，包括以下步骤：1]写使能信号被触发时，不判断是否存在数据屏蔽而直接触发读使能信号；2]若存在数据屏蔽，外部数据未被屏蔽的部分写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理；外部数据被屏蔽的部分不写入存储阵列，而在存储阵列中读出与被屏蔽的外部数据对应的数据，然后通过读出电路传输至ECC进行处理；上述外部数据未被屏蔽的部分和被屏蔽的部分的读出电路同步传输；3]若不存在数据屏蔽，外部数据写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大，付妮，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：