半导体存储器件及其操作方法、存储器系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件及其操作方法、存储器系统对相关申请的交叉引用本申请要求2012年5月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0052593的优先权，通过引用将其全部内容并入于此。
各个示例实施例涉及一种半导体存储器件，并且更具体地涉及一种控制刷新周期的半导体存储器件、存储器系统、以及一种操作半导体存储器件的方法。
技术介绍
广泛用于高性能电子系统中的半导体器件的容量和速度持续增加。动态随机存取存储器（DRAM）（即，半导体器件的示例）是易失性存储器，其中通过电容器中存储的电荷来表示数据。由于电容器中存储的电荷随着时间泄漏，因此DRAM存储单元具有有限数据保持特性。周期性地执行刷新操作以便维持在DRAM的存储单元中存储的数据。通常基于设计规范来确定刷新周期的定时，其中对于所有存储单元应用具有统一值的刷新周期。然而，由于工艺技术的难度级别根据连续DRAM工艺规模而增加，DRAM器件上处理的统一性劣化，这可能造成制造产量劣化。
技术实现思路
本公开提供了一种半导体存储器件、存储器系统、以及操作半导体存储器件的方法，其中通过执行适于存储单元的数据保持特性的...
【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；刷新控制电路，被配置为接收刷新命令并在一个刷新周期期间输出m个刷新控制信号以便刷新该半导体存储器件的所有存储单元，m为大于1的自然数；地址计数器，被配置为响应于m个刷新控制信号产生用于刷新存储单元的计数信号；以及地址转换器，被配置为接收计数信号并且通过响应于周期选择信号转换计数信号来输出刷新地址，其中，地址转换器被配置为输出刷新地址，使得在一个刷新周期期间的m个刷新控制信号的数量是可变的。
【技术特征摘要】
2012.05.17 KR 10-2012-00525931.一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；刷新控制电路，被配置为接收刷新命令并在一个刷新周期期间输出m个刷新控制信号以便刷新该半导体存储器件的所有存储单元，m为大于1的自然数；地址计数器，被配置为响应于m个刷新控制信号产生用于刷新存储单元的计数信号；以及地址转换器，被配置为接收计数信号并且通过响应于周期选择信号转换计数信号来输出刷新地址，其中，地址转换器被配置为输出刷新地址，使得在一个刷新周期期间的m个刷新控制信号的数量是可变的。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，第一刷新控制信号要刷新的存储单元的数量大于第二刷新控制信号要刷新的存储单元的数量的2n倍，n为大于0的整数。3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在一个刷新周期期间要刷新的存储单元的平均数量为n×a，其中，a是要刷新的存储单元的预定参考数量，且n能被调节为非整数的小数值。4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，n能被调节为整数值。5.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：命令译码器，被配置为通过译码至少一个外部命令来产生刷新命令。6.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：周期信息存储电路，被配置为存储刷新周期信息；以及周期选择器，被配置为基于在周期信息存储电路中存储的刷新周期信息来产生周期选择信号。7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，周期信息存储电路包括熔丝电路和反熔丝电路中的至少一种。8.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，周期信息存储电路包括被配置为将模式寄存器组MRS码输出为刷新周期信息的MRS。9.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，周期选择器被配置为控制地址转换器以忽略计数信号的比特的逻辑值。10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中，存储单元阵列包括第一存储体和第二存储体，其中，周期选择器被配置为控制地址转换器，使得在一个刷新周期期间相应刷新控制信号要刷新的第一存储体的存储单元的平均数量与在一个刷新周期期间相应刷新控制信号要刷新的第二存储体的存储单元的平均数量不同。11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述要刷新的第一存储体的存储单元的平均数量是所述要刷新的第二存储体的存储单元的平均数量的n倍，其中n能被调节为非整数的小数值。12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中，n能被调节为整数值。13.一种操作包括存储单元阵列的半导体存储器件的方法，该方法包括：响应于外部刷新命令而进入刷新模式；对于存储单元阵列的所有存储单元，在一个刷新周期期间响应于m个刷新控制信号来产生刷新地址；以及在一个刷新周期期间响应于刷新地址来周期性地刷新存储单元阵列...
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