存储装置、存储系统及其操作方法制造方法及图纸

提供了一种存储装置、存储系统、及其操作方法。一种操作包括多个存储单元的存储装置的方法，所述多个存储单元包括第一存储单元和与所述第一存储单元相邻的第二存储单元，所述方法包括：每次访问所述第一存储单元时，对所述第二存储单元的干扰值进行计数；基于计数来更新所述第二存储单元的干扰计数值；基于所述第二存储单元的干扰计数值、期望的阈值、和最大干扰计数值来调整刷新调度；以及当所述第二存储单元根据调整的刷新调度而被刷新时，复位所述第二存储单元的干扰计数值和最大干扰计数值。

【技术实现步骤摘要】
存储装置、存储系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2012年5月14日提交的美国临时专利申请No.61/646，410以及于2012年8月24日提交的韩国专利申请No.10-2012-0093113的优先权，通过引用将其每个的内容合并于此。
本专利技术的一些示例性实施例涉及存储装置，并且更具体地，涉及被配置为通过控制刷新操作来减少在访问存储单元期间发生的干扰而造成的动态刷新特征的劣化的存储装置和/或存储系统，和/或其操作方法。
技术介绍
高电压被施加到诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储装置的字线上，使晶体管能够访问存储单元。然而，由高电压产生的电场可能会降低相邻小区中的存取晶体管(accesstransistor)的阈值电压。其结果是，单元的漏电流增加，这就是所谓的通门效应(passgateeffect)。为了防止由于泄漏电流而造成的数据丢失，在完全失去在单元中存储的数据之前，DRAM要求从单元中读取数据和重写数据到单元中的刷新操作。刷新操作可以在DRAM中周期性地执行，或者刷新操作可以在系统的请求下来执行。刷新特征包括静态刷新特征和动态刷新特征。在存储单元阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作包括多个存储单元的存储装置的方法，所述多个存储单元包括第一存储单元和与所述第一存储单元相邻的第二存储单元，所述方法包括：每次访问所述第一存储单元时，对所述第二存储单元的干扰值进行计数；基于计数来更新所述第二存储单元的干扰计数值；基于所述第二存储单元的干扰计数值、期望的阈值、和最大干扰计数值来调整刷新调度；以及当所述第二存储单元根据调整的刷新调度而被刷新时，复位所述第二存储单元的干扰计数值和最大干扰计数值。

【技术特征摘要】
2012.08.24 KR 10-2012-0093113;2012.05.14 US 61/641.一种操作包括多个存储单元的存储装置的方法，所述多个存储单元包括第一存储单元和与所述第一存储单元相邻的第二存储单元，所述方法包括：每次访问所述第一存储单元时，对所述第二存储单元的干扰值进行计数；基于计数来更新所述第二存储单元的干扰计数值；基于所述第二存储单元的干扰计数值、期望的阈值、和最大干扰计数值来调整刷新调度；以及当所述第二存储单元根据调整的刷新调度而被刷新时，复位所述第二存储单元的干扰计数值和最大干扰计数值，其中，在存储装置被上电之后，启用不定期刷新标志，以控制所述存储装置根据刷新调度来执行刷新操作；以及如果所述存储装置处于测试模式，则禁用不定期刷新标志，以停止刷新操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中，干扰值是所述第一存储单元的累积访问时间除以单位时间。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述更新包括每次访问所述第一存储单元时，将在之前的访问时间处存储的干扰计数值添加到在所述第一存储单元的当前访问时间期间周期计数的值上。4.根据权利要求1所述的方法，其中，调整刷新调度包括：如果所述第二存储单元的干扰计数值至少为期望的阈值，和大于最大干扰计数值时，在刷新调度中提前在第二存储单元上的刷新操作；并且利用所述第二存储单元的干扰计数值来更新最大干扰计数值。5.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述第二存储单元被刷新时，复位不定期刷新标志。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：当存储器装置上电时,初始化干扰计数值。7.一种存储装置，包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，所述多个存储单元包括第一存储单元和与所述第一存储单元相邻的第二存储单元；控制逻辑，其被配置为如果所述第一存储单元被访问，则读取所述第二存储单元的当前干扰计数值，所述控制逻辑被配置为将当前干扰计数值与期望的阈值以及最大干扰计数值进行比较，所述控制逻辑被配置为在所述第一存储单元的当前访问时间期间对第二存储器的干扰值进行计数，并且被配置为基于所述计数来更新干扰计数值；以及刷新单元，其被配置为计算所述第二存储单元的字线地址，被配置为根据干扰计数值的比较结果来调整用于所述第二存储单元的当前刷新调度，被配置为执行在所述第二存储单元上的刷新操作，并且被配置为基于上电信号来控制刷新操作的初始化，其中，在存储装置被上电之后，启用不定期刷新标志，以控制所述存储装置根据刷新调度来执行刷新操作；以及如果所述存储装置处于测试模式，则禁用不定期刷新标志，以停止刷新操作。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述存储单元阵列包括：正常单元阵列，其包括被配置来存储数据的多个数据存储单元，所述数据存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；以及干扰计数单元阵列，其包括被配置为存储干扰计数值的多个干扰计数单元，其中，所述干扰计数单元中的至少一个被连接到与所述第一存储单元相同的字线。9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制逻辑包括：地址命令译码器，其被配置为接收来自主机的时钟信号、激活命令、和地址，并且所述地址命令译码器被配置为基于所述时钟信号来对所述激活命令和所述地址进行译码，以产生对应于所述激活命令的控制信号，并且产生用于访问所述第一存储单元的行地址和列地址；计数值比较器，其被配置来将当前干扰计数值与期望的阈值以及最大干扰计数值进行比较；计数值更新器，其被配置为每当所述第一存储单元被访问时，通过将在之前访问时间处存储的干扰计数值添加到在所述第一存储单元的当前访问时间期间周期计数的值上，来更新干扰计数值；以及最大计数值存储器，其被配置为存储在从存储装置的初始化时间到当前操作时间的所述第二存储单元的干扰计数值中的最大干扰计数值，并且如果更新的干扰计数值大于所述最大干扰计数值，则利用更新的干扰计数值来更新所述最大干扰计数值。10.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述刷新单元包括：相邻地址计算器，其被配置为基于从所述控制逻辑接收的所述第一存储单元的地址来计算所述第二存储单元的地址；下一个不定期刷新地址和不定期刷新标志存储器，其被配置为如果所述第二存储单元的当前干扰计数值至少是期望的阈值，和大于所述最大干扰计数值，则存储所述第二存储单元的地址来作为下一个不定期刷新地址，并且其被配置为存储指示不定期刷新操作是否要在所述第二存储单元上执行的不定期刷新标志；以及刷新控制器，其被配置来调整刷新调度，以使得根据所述不定期刷新标志，首先执行在第二存储单元上的不定期刷新操作。11.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述刷新单元进一步包括周期性内部刷新命令生成器，其被配置为基于上电信号来完全刷新所述存储单元阵列，并且输出内部刷新信号，以用于控制要被初始化的干扰计数值，以及所述控制逻辑包括计数有效标志单元，其被配置为根据内部刷新信号来启用计数有效标志，以复位计数值更新器、计数值比较器、以及最大计数值存储器。12.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述计数值更新器被配置为在执行第二存储单元上的不定期刷新操作之后，复位所述第二存储单元的干扰计数值。13.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述刷新控制器被配置为将在第二存储单元上的不定期刷新操作插入到刷新调度中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑扶日，金昭映，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：