【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种AMR?MEMS制造方法，其特征在于包括：在硅片上直接形成氧化膜和SiN膜层；在SiN膜层上直接形成AMR材料层；在AMR材料层上直接形成金属层；刻蚀金属层以在金属层中形成凹槽；针对所述凹槽的位置刻蚀AMR材料层；沉积SiN覆盖层，并且对所述凹槽两侧的金属层上的SiN覆盖层进行刻蚀以形成金属凹槽，并在金属凹槽中填充金属以形成接触孔连接金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊杰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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