【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于包括：第一步骤：利用光阻掩膜对TaN膜层进行刻蚀以形成接触孔，其中在光阻掩膜表面会形成TaN类聚合物；第二步骤：在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理，以部分地去除光阻表面比较难去除的TaN类聚合物以及部分地去除光阻掩膜；第三步骤：在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理，以便完全去除光阻掩膜；第四步骤：在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理，以便去除剩余的TaN类聚合物，其中引入了C类聚合物；第五步骤：在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理，以便去除C类聚合物400；第六步骤：进行湿法清洗，去除聚合物和残留的光阻掩膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，奚裴，熊磊，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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