埋层腔体型SOI的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种埋层腔体型SOI的制造方法，包括：提供形成有腔体图形的半导体衬底；提供包含有顶层硅的SOI硅片；将所述具有顶层硅的SOI硅片表面与所述形成有腔体图形的半导体衬底表面进行硅硅键合；分别刻蚀掉SOI硅片中除顶层硅外的其他材料。本发明专利技术通过将SOI硅片与半导体衬底进行键合，再刻蚀掉SOI硅片上除顶层硅外的其他材料，不仅扩大了腔体的尺寸范围，使腔体的尺寸不受顶层硅厚度的影响，同时缩小了顶层硅可以达到的最小厚度，并且避免制造较大面积腔体时顶层硅破损或脱落的问题，提高了后续工艺的可靠性及产品的质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种埋层腔体型SOI的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在其上形成所需的腔体图形；提供SOI硅片，所述SOI硅片包括硅衬底、硅衬底上的SiO2埋层以及顶层硅；将所述SOI硅片放置在所述半导体衬底上，所述SOI硅片具有顶层硅的表面与所述半导体衬底上形成有腔体图形的表面相接触，进行硅硅键合；进行第一次刻蚀，去除所述SOI硅片中的硅衬底；进行第二次刻蚀，去除所述SOI硅片中的SiO2埋层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐元俊，薛维佳，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：