用于制造混合集成的构件的方法技术

利用本发明专利技术提出了一种用于混合集成的构件的制造方法，所述构件具有至少一个MEMS结构元件、一用于所述MEMS结构元件的微机械结构的罩以及至少一个ASIC基底。根据本发明专利技术，为此，所述MEMS结构元件(100)的微机械结构和在一个层构型中的所述罩(30)由一共同的半导体基底(10)出发进行制造，其方式是，将至少一个罩层(30)施加到所述半导体基底(10)的第一表面上，并且其方式是，将所述半导体基底(10)从其另外的第二表面(15)出发进行处理且结构化，以便产生并露出所述微机械的MEMS结构。然后，所述半导体基底(10)以MEMS结构化的第二表面(15)装配在所述ASIC基底(60)上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
用于制造混合集成的构件(101；102)的方法，所述构件至少包括：?一MEMS结构元件(100)；?一用于所述MEMS结构元件的微机械结构的罩；以及?一ASIC基底(60)；其特征在于，所述MEMS结构元件(100)的所述微机械结构和在一个层构型中的所述罩(30)由一共同的半导体基底(10)出发被制造，·其方式是，将至少一个罩层(30)施加到所述半导体基底(10)的第一表面上，以及·其方式是，将所述半导体基底(10)从其另外的第二表面(15)出发进行处理并且结构化，以便制造并露出微机械的MEMS结构；所述半导体基底(10)以MEMS结构化的所述第二表面(15)被装配在所述ASIC基底(60)上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·弗莱，F·菲舍尔，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：