【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种应用于微机电系统中微器件圆片级封装前通孔金属互联的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅片正面采用扩散工艺掺杂，得到具有高掺杂硅层的硅片；2）采用微加工工艺，在第一基片正面上加工出的第一槽结构，并在第一基片的厚度方向制作出通孔结构，将所述具有高掺杂硅层的硅片与第一基片两者正面相对键合，使硅片与第一基片形成键合组合片，并将键合组合片中硅片减薄、抛光至所需厚度，然后采用DRIE工艺刻蚀硅片，得到带有可动结构的键合组合片；3）采用气浮沉积工艺配合精密XY平台，在具有可动结构的键合组合片带孔表面喷印纳米导电墨水，使纳米导电墨水将通孔底面与通孔侧壁连接，并使纳米导电墨水由通孔内延伸至第一基片表面，形成引线键合焊盘图案，然后置于退火炉中烧结，得到具有导电结构的键合组合片，同时，导电结构与键合组合片中通孔结构底面的未键合高掺杂硅面在烧结过程中自然形成欧姆接触，从而完成本专利技术所述微器件圆片级封装前的通孔金属互联的制作；4）将具有导电结构的键合组合片的硅面与第二基片的第二槽结构对准，使硅片上可动结构置于第二基片的第二槽结构内，在真空条件下，采用键合工艺，实现可动结构的圆片级真空封装。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙道恒，占瞻，虞凌科，杜晓辉，王小萍，何杰，王凌云，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。