浅沟槽隔离工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种浅沟槽隔离工艺，包括：提供衬底，所述衬底由下向上依次包括硅衬底、垫氧层和SiN层；对衬底进行光刻处理，形成第一道较浅沟槽；对所述第一道较浅沟槽进行圆角化处理，形成浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁生成薄氧化层，并进行氧化物填充。本发明专利技术通过优化浅沟槽隔离刻蚀的工艺程式，减小硬掩模线宽，同时对沟槽顶端尖角的圆滑化处理可以保持有源区线宽不变，达到了与硬掩模回刻工艺相同的效果。因此，通过刻蚀过程的精确控制，就可以省掉硬掩模回刻工艺以及掩模回刻工艺后的清洗步骤，节省了工艺步骤，并降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离工艺，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底由下向上依次包括硅衬底、垫氧层和SiN层；对衬底进行光刻处理，形成第一道较浅沟槽；对所述第一道较浅沟槽进行圆角化处理，形成浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁生成薄氧化层，并进行氧化物填充。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海辉，杨渝书，秦伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：