【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双深度浅沟道隔离槽的刻蚀工艺，其特征在于，包括：提供衬底，对所述衬底进行光刻涂胶和显影；对所述衬底刻蚀形成第一道浅沟槽并清洗；对其中一个第一道浅沟槽进行光刻胶填充和显影；对另一个第一道浅沟槽的底部圆角进行刻蚀；进一步刻蚀上述第一道浅沟槽，形成第二道较深沟槽；去除所述光刻胶并清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄海辉，杨渝书，秦伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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