【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成集成电路的方法，其包括：在衬底上形成结构，所述结构包括结构材料和蚀刻终止层，所述蚀刻终止层具有上表面和下表面；对所述结构实施平坦化并在所述蚀刻终止层上终止平坦化；使所述结构材料选择性凹陷使得在所述选择性凹陷结束时，所述结构材料的暴露的上表面与所述蚀刻终止层的所述下表面大致共面；及选择性去除所述蚀刻终止层，以留下包括凹陷的结构材料的预先暴露的上表面的大致共面表面和通过去除所述蚀刻终止层暴露的材料的上表面。
【技术特征摘要】
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