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本发明涉及半导体装置的形成方法，其包含形成自对准沟槽，其中使用第一组沟槽(300)来对准第二组沟槽(302)。本文所教示的方法可用作间距加倍技术，且因此可提高装置整合度。另外，通过使用极薄CMP终止层(211)并使周围材料凹陷与所述CMP终...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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