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双深度浅沟道隔离槽的刻蚀工艺制造技术
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文档序号:9357600
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本发明公开了一种双深度浅沟道隔离槽的刻蚀工艺,包括:提供衬底,对所述衬底进行光刻涂胶和显影;对所述衬底刻蚀形成第一道浅沟槽并清洗;对其中一个第一道浅沟槽进行光刻胶填充和显影;对另一个第一道浅沟槽的底部圆角进行刻蚀;进一步刻蚀上述第一道浅沟槽...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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