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本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺，包括：提供衬底，所述衬底由下向上依次包括硅衬底、垫氧层和SiN层；对衬底进行光刻处理，形成第一道较浅沟槽；对所述第一道较浅沟槽进行圆角化处理，形成浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁生成薄氧化层，并进行氧化物填充。本发明...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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