【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种离子注入工艺在CCD制作中的应用，包括：用于其他器件上的多晶硅栅制作的常规离子注入掺杂工艺，所述其他器件为非CCD器件，其特征在于：制作CCD上的多晶硅栅时，采用常规离子注入掺杂工艺对CCD上的多晶硅栅进行磷离子注入掺杂处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟玉杰，王晓强，韩沛东，李永芬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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