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一种离子注入工艺在CCD制作中的应用，包括：用于其他器件上的多晶硅栅制作的常规离子注入掺杂工艺，所述其他器件为非CCD器件，其改进在于：制作CCD上的多晶硅栅时，采用常规离子注入掺杂工艺对CCD上的多晶硅栅进行磷离子注入掺杂处理。本发明的有...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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