改善阱邻近效应的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善阱邻近效应的方法，利用一版图对硅衬底进行阱离子注入工艺，采用该版图能够规避阱邻近效应对半导体器件的影响；该版图是根据不同尺寸的半导体器件在沟道长度和宽度方向上对阱邻近效应的敏感度的不同得出的，具体为：在敏感方向扩大阱注入区尺寸，而在非敏感方向，尽可能的减小阱注入区尺寸，从而能够在降低半导体器件由于阱邻近效应而导致的电性偏差的同时，还能够最大限度的优化版图设计布局，并且在版图设计过程中应用该方法，能够节约版图设计时间，进而降低半导体器件的成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改善阱邻近效应的方法，其特征在于，应用于半导体器件的阱离子注入工艺中，所述半导体器件包括一硅衬底，且该硅衬底的上表面具有一栅极结构，其特征在于，包括以下步骤：利用一版图对所述硅衬底进行阱离子注入工艺，于所述栅极结构四周的硅衬底中形成阱区；其中，所述版图包括栅极区域和阱注入区域，并根据工艺需求设定所述阱注入区域的长度和/或宽度，或根据工艺需求设定所述栅极区域的一边缘和与该边缘相邻的一所述阱注入区域的边缘之间的距离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐莹，周飞，周维，魏峥颖，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：