有效的邻近效应校正方法技术

本发明专利技术描述了基于目标布局（５０４）的选定估算点（５０５和５０６）的之间的校正（５０１和５０２）的内插（５０３）的方法。通过连接校正点，该技术提供了减小数据量并简化掩模写、检验和修复处理的方法。相同的方法可应用于带有非印刷特征的布局，其中所述校正基于主特征的图像质量。对于矢量扫描掩模写工具，内插所述校正的段可断裂为角度适合的段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体芯片的过程。更具体地，本专利技术涉及一种用于执行邻近效应校正(proximity effect correction)的方法。
技术介绍
集成电路技术改进主要由半导体芯片特征尺寸的减小所驱动。随着电路特征尺寸的减小，电路设计者不得不处理用于制造集成电路的光刻过程的局限性。光刻过程(lithography process)首先由利用称为光刻胶的材料涂覆半导体晶片表面开始。在透明掩模的情况下，辐射源然后照射通过放置在光刻胶层之上的掩模。对于反射掩模，所述辐射由放置在光刻胶层之上的掩模所反射。透明掩模由对辐射透明的基片制成，并涂覆有限定对辐射透明和不透明区域的图案化不透明层。透明掩模主要用于436nm、405nm、365nm、248nm、193nm和157nm典型波长的光学光刻中。反射掩模使用对辐射反射的基片制成，并涂覆有限定对辐射反射和非反射区域的图案化非反射层。可替换地，反射掩模可由涂覆有反射层的非反射基片制成。反射掩模主要用于通常称作EUV或者极紫外线(Extreme UltraViolet)的在13nm级的较短辐射波长。在对辐射源的曝光过程中，掩模的图像使用光刻胶层顶部上的系统形成。光刻胶层在透射掩模的情况下由通过掩模的辐射曝光或在反射掩模的情况下由掩模反射。光刻胶然后在显影液器(developer bath)中显影，并依赖于光刻胶的极性(正或负)移除光刻胶的曝光区域或未曝光区域。最终得到的是带有具有所期望图案的光刻胶层的半导体晶片。该光刻胶图案然后可由对晶片下层区域的后续处理步骤使用。随着特征尺寸减小，图案转移过程中的畸变变得更加严重。必须修改设计形状以便在晶片上印刷所期望的图像。所述修改说明了光刻过程的局限性。在光学光刻情况下一种这样的修改称为光学邻近校正(OPC)。在OPC的情况下，对设计图像的修改说明了光学局限性以及制造局限性和光刻胶局限性。对设计图像的修改还可说明如干蚀刻或者注入的后续处理步骤。它还说明了光学系统中的光斑(flare)以及图案密度变化。邻近效应校正的另一个应用是对用于将掩模图像印刷到晶片上的光学系统的像差(aberration)的校正。在该情况下，由于像差是工具特定的(tool specific)，带有像差校正的掩模将专用于给定的光刻工具。当前光学系统的局限性由以下等式得出R＝k1λ/NAR＝分辨率λ＝照明源的波长NA＝曝光系统的数值孔径所实现的用于标准光学系统的最大分辨率(或者由相等线和间隔所构成的图案中的最小线)在k1＝0.25时实现。但是对于低于0.5的k1值在晶片上可观察到图案的严重畸变，因此需要对掩模的校正以便在晶片上印刷所期望的图像。图1示出用于校正邻近效应的掩模数据的修改。对掩模数据的处理开始于表示晶片上的图像期望尺度的目标布局101。由于邻近效应，目标布局101的印刷图像102不同于期望图像。为了参考，目标布局101与印刷图像102一起示出。然后移动特征边缘(103)以便校正晶片上的对应印刷图像(尽可能接近目标)104。在图1中，布局的所有区域都已得到校正，但是邻近效应校正可限定到真正重要的区域如例如多层中的栅区。可利用基于规则的方法或者基于模型的方法来应用对布局101的校正。对于基于规则的方法(基于规则的OPC)，段的位移将依赖于例如特征尺寸及其环境由规则列表设定。对于基于模型的方法(基于模型的OPC)，晶片上的印刷图像将利用图案转移过程模型来模拟。校正将被设置使得所模拟的图像与期望晶片图像匹配。还可使用有时称为混合OPC的基于规则的OPC和基于模型的OPC的组合。在基于模型的OPC的情况下，如图2中所示的原始布局201解剖为经修改的布局202中所示的较小段203。每个段都结合了估算点204。如最终布局205中所示，通过在垂直于所述段的方向上移动对应段来补偿估算点的印刷错误。利用多重迭代校正所述段以便说明每个单独段的邻近校正。利用当前基于模型和基于规则的OPC方法的主要问题之一是在校正后顶点的数量显著增加，因而导致与校正前相比在校正后的更大的数据量(典型地是较大数量级)。较大数据量增加了数据处理时间以及写掩模所花的时间。此外，由于当数据转换到掩模写工具格式时产生非常小的碎片，校正的复杂性可产生矢量扫描电子束(e-beam)掩模写工具的一些问题。这些小碎片导致在掩模被曝光时曝光剂量不准确，这又导致尺度不准确。基于模型的OPC的另一个问题是，所述校正对于估算点是准确的，但是由于解剖点引入校正的不连续性，不保证所述校正对于估算点中间的点是足够的。应用到估算点中间的点的校正是基于固有地倾向于误差的外插(extrapolation)。该效果在图3中描述。两个段301和302利用基于模型的OPC被校正。还示出所得到的印刷图像303和目标布局304。对于估算点305和306，印刷图像303紧密匹配目标布局304。对于估算点305和306中间的点307，印刷图像不匹配目标图像。图4描述了当前OPC方法的另一个局限性。对由两个相对角组成的布局(401)的校正导致布局402，在所述布局402中在角之间产生紧间隔403。该紧间隔是不期望的，因为当晶片曝光时它将导致减小的处理范围。紧间隔还能够难以在掩模上制造并还产生后续地检验和修复问题。图3和图4所展示的局限性由固有地不准确的估算点之间校正的外插产生。在增加估算点数量以增加校正准确度和减少估算点数量以提高校正速度之间采取折衷。所需要的是新的OPC方法，其将减小OPC之后的数据量膨胀、防止数据断裂期间的碎片(sliver)的产生、在估算点中间生成更准确的校正以及避免相对角之间的小间隔的产生。
技术实现思路
描述了一种在集成电路布局上执行邻近效应校正的方法。该方法提供简化的校正方法，所述校正方法将产生具有更准确校正的布局并且还将减小邻近效应校正之后的数据量膨胀。对于给定布局，对应于校正应满足给定规格的布局位置的估算点可被标识。数据处理器随后被使用以执行对估算点的邻近效应校正，由此产生校正点。经校正的布局通过互连相邻校正点而产生。在一些实施例中，校正点通过平移估算点而产生。所述平移可沿垂直于原始布局的线执行。在一些实施例中，互连曲线可以是直线、多项式函数，或者其可以断裂成以角度的有限集合排列的线集合。在一些实施例中，估算点放置在子分辨率辅助特征上。在该情况下邻近效应校正可通过计算校正点的位置执行，以增强由对应子分辨率辅助特征所辅助的图案空间像(aerial image)的对比度。还描述了在集成电路布局上执行邻近效应校正的另一种方法。该方法提供了产生具有更准确校正的布局的校正方法。限定给定布局的段被解剖为较小的段。数据处理器随后被使用以执行对其中经校正段可不平行于对应输入段的所述段的邻近效应校正。在一些实施例中，每段至少一个估算点被标识并且所述段通过相对于输入段的相应估算点旋转和平移所述输入段而得到校正。在一些实施例中，邻近经校正段的端利用互连段而连接。每个段还可利用在与邻近段的交点所产生的顶点进行外插并连接到邻近段。经校正段的外插可沿直线或沿例如利用三阶多项式所定义的曲线执行。在随后的步骤中，经校正的段可断裂成以角度的有限集合排列的线集合，以方便用于矢量扫描掩模写工具的掩模制造过程。在一些实施例中，至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在集成电路的布局上执行邻近效应校正以产生经校正布局文件的方法，所述方法包括：　接收所述集成电路一部分的计算机可读布局；利用数据处理器标识所述布局的第一估算点和第二估算点；利用数据处理器执行对所述第一估算点的邻 近效应校正以便形成第一经校正点，以及执行对所述第二估算点的邻近效应校正以便形成第二经校正点。计算连接所述第一经校正点与所述第二经校正点的互连曲线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗皮拉特，
申请(专利权)人：达酷美科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]