激光退火方法及激光退火装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种进行高品质退火的激光退火方法及激光退火装置。在本发明专利技术的激光退火方法中，（a）准备半导体基板，该半导体基板中，在表层部的相对较深区域以相对低浓度添加杂质，在相对较浅区域以相对高浓度添加杂质。（b）对半导体基板照射激光束，将半导体基板熔融至比高浓度杂质的添加区域更深的位置而使添加在相对较浅区域的高浓度杂质活化，并不使半导体基板熔融至低浓度杂质的添加区域而使添加在相对较深区域的低浓度杂质活化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱木进，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：
国别省市：