【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：垂直沟道层；控制栅和层间绝缘层，所述控制栅和所述层间绝缘层相互交替层叠在衬底上并包围所述垂直沟道层；浮栅，所述浮栅插入在所述垂直沟道层与所述控制栅之间，并由所述层间绝缘层相互分隔开；以及电荷阻挡层，所述电荷阻挡层插入在所述浮栅与所述控制栅之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：有留诚一，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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