半导体封装及其形成方法技术

技术编号:9199264 阅读:134 留言:0更新日期:2013-09-26 03:14
本发明专利技术公开了一种半导体封装及其形成方法。在一个实施例中,一种形成半导体封装的方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方。用封装材料覆盖第一裸片和第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件。使封装件从底表面开始薄化,以露出第一裸片的第一表面而不露出第二裸片。选择性地蚀刻第一裸片的露出的第一表面,以露出第一裸片的第二表面。形成背面导电层,以接触第一表面。通过封装件的第一部分使第二裸片与背面导电层分离。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种形成半导体封装的方法,所述方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方,所述第一裸片为与所述第二裸片不同类型的裸片;用封装材料覆盖所述第一裸片和所述第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件;使所述封装件从所述底表面开始薄化,以露出所述第一裸片的第一表面而不露出所述第二裸片;以及形成接触所述第一裸片的背面导电层,其中,通过所述封装件的第一部分使所述第二裸片与所述背面导电层分离。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:爱德华·菲尔古特哈利勒·哈希尼约阿希姆·马勒
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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