一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法技术

本发明专利技术公开了一种微凸点的形成方法，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。本发明专利技术提出通过在微凸点周围的种子层上覆盖一层刻蚀阻挡层，这样在进行种子层刻蚀时，可以保护其下面的种子层免受刻蚀，从而防止出现侧向钻蚀的现象。提高微凸点加工制造的可靠性和良品率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法，其特征在于，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层,所述的一定距离满足：经步骤s6的刻蚀后，种子层的端部恰好与微凸点的边缘对齐或位于微凸点的外部；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴风伟，张文奇，于大全，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：